DMP6180SK3-13

当您的下一个电源管理或电机驱动项目需要一颗既能承受高压冲击，又能保证极低损耗的可靠“心脏”时，您会如何选择？答案就藏在DMP6180SK3-13这颗卓越的P沟道MOSFET中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、延长使用寿命、并最终赢得市场的关键动力源。凭借其高达60V的漏源电压和14A的连续漏极电流承载能力，它为您的设计提供了坚固的电气屏障，让您在应对复杂工况时充满信心，无需为稳定性担忧。

想象一下，在紧凑的消费类电子电源适配器、高效的DC-DC转换模块或是需要精准控制的电机驱动电路中，DMP6180SK3-13都能完美融入。其低至110毫欧的导通电阻（在12A，10V条件下）意味着更少的热量产生和更高的能源转换效率，直接转化为更凉爽的运行温度和更长的电池续航。无论是智能家居设备中需要频繁开关的负载，还是工业自动化设备里要求严苛的功率路径管理，这颗芯片都能以出色的开关特性和稳定的表现，确保系统流畅、安静且可靠地运行。

选择DMP6180SK3-13，就是选择了一份经过验证的品质与性能保障。它来自Diodes Incorporated的成熟技术平台，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，不仅节省宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，大幅提升您的制造效率。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）让它无惧严寒酷暑，适应各种恶劣环境。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES中国代理合作，您不仅能获得稳定可靠的货源和具有竞争力的价格，还能得到专业的技术支持与快速的物流服务，让您的产品从研发到量产一路畅通。立即将DMP6180SK3-13纳入您的物料清单，开启高效、可靠的产品新篇章！

• 型号:DMP6180SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 14A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:984.7 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP6180SK3-13正是为您量身打造的解决方案！它能轻松担当您电路中关键的开关或负载驱动角色，凭借60V/14A的强劲规格和极低的导通电阻，显著降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更高效，直接提升终端产品的能效表现和用户体验。

这颗芯片采用先进的MOSFET技术，具备优异的开关速度和栅极电荷特性，让您的系统响应更迅捷。其坚固的TO-252封装和宽广的工业级温度范围，确保了在各种严苛环境下的长期稳定工作。选择DMP6180SK3-13，就是为您的电源管理、电机控制或负载开关应用注入一颗强劲而可靠的“芯”。