DMTH6004SPS-13

在追求极致能效的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，如果有一款MOSFET能够显著降低导通电阻，同时保持极低的栅极电荷，那将为您的系统效率带来怎样的飞跃？这正是DMTH6004SPS-13诞生的意义它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的秘密武器。

这款来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其60V的漏源电压和高达25A（环境温度下）的连续漏极电流能力，为工程师们打开了高效设计的大门。其核心魅力在于那惊人的低导通电阻在10V驱动电压下，仅需3.1毫欧，这意味着在电流通过时产生的热量被大幅削减，电能得以更纯粹地转化为动力。当您将它应用于服务器电源、工业电机驱动或是高密度DC-DC转换器时，它能轻松应对频繁的开关动作，确保系统运行既冷静又稳定。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，更是赋予了产品在严苛环境下可靠运行的底气。

为什么越来越多的设计团队选择它？答案在于其卓越的综合性能与封装优势。PowerDI5060-8封装不仅实现了出色的热性能，其紧凑的尺寸更是为空间受限的现代电子设备提供了完美的解决方案。极低的栅极电荷（95.4nC @ 10V）意味着驱动它所需的能量更少，开关速度更快，这直接转化为更低的系统总损耗和更高的开关频率潜力。无论是优化现有的电源架构，还是挑战下一代高功率密度设计，DMTH6004SPS-13都能让您的想法迅速落地。要获取这颗性能尖兵，您可以信赖专业的DIODES代理商，他们能为您提供从选型到供应的全方位支持。选择它，就是选择了一份对高效率、高可靠性的坚定承诺，让您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:DMTH6004SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.1 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），167W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在寻找那颗能同时兼顾高效率与高可靠性的“心脏”吗？DMTH6004SPS-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达25A的连续电流能力，其核心价值在于仅3.1毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更持久。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在提供强大散热能力的同时节省宝贵空间。极低的栅极电荷确保快速开关，提升系统整体频率响应。无论是工业自动化、通信设备还是计算领域，它都能让您轻松构建高效、紧凑且可靠的功率转换链路，大幅提升终端产品的市场竞争力。