DMG7N65SCT

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为高压开关应用的稳定性与效率而权衡？今天，我们为您带来一款能够完美平衡这些需求的解决方案DMG7N65SCT。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其650V的高压耐受能力和7.7A的连续漏极电流，为您的高压开关电路注入强劲而稳定的核心动力。它不仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键伙伴。

想象一下，在电动汽车的车载充电器（OBC）中，或者在工业级开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路里，稳定高效的能量转换是系统可靠运行的基石。DMG7N65SCT正是为此类严苛应用而生。它卓越的1.4欧姆低导通电阻（在10V驱动下），意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。无论是应对电网的电压波动，还是在频繁启停的工业环境中，其坚固的TO-220AB封装和高达125W的功率耗散能力，都确保了长期运行的耐久性与稳定性，让您的设计无惧挑战。

选择DMG7N65SCT，就是选择了一份来自AEC-Q101车规认证的安心保障。它专为汽车级应用设计，工作温度范围宽达-55°C至150°C，能够从容应对从极寒到酷热的极端环境考验。这意味着您可以将它放心地集成到要求最严苛的汽车电子或高可靠性工业设备中。同时，其优化的栅极电荷（Qg）特性有助于简化驱动电路设计，实现更快的开关速度，从而进一步提升系统频率和功率密度。当您需要可靠、高效的高压开关解决方案时，DIODES芯片代理将是您获取这颗强大芯片和专业技术支持的最佳桥梁。让DMG7N65SCT成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效、可靠的能量管理新篇章。

• 型号:DMG7N65SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220AB（TH 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:886 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220AB（TH 型）
• 封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的MOSFET吗？DMG7N65SCT正是您的理想之选！这颗650V/7.7A的N沟道MOSFET，凭借其出色的低导通电阻（Rds(on)），能显著降低开关过程中的导通损耗，让您的电源或电机驱动方案效率更高，发热更少。

它采用坚固的TO-220AB封装，散热能力强，最大功耗可达125W，确保在重载下也能稳定运行。更值得一提的是，它拥有AEC-Q101车规认证，品质历经严苛考验，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，无论是面对汽车电子中的振动与温变，还是工业环境下的连续作业，都能让您高枕无忧。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心。