DMTH6004SCTBQ-13

想象一下，当您的电源管理系统需要在严苛环境下保持高效稳定时，一颗怎样的功率器件才能让您高枕无忧？答案就藏在DMTH6004SCTBQ-13这颗卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、确保系统可靠性的强大引擎。凭借其高达100A的连续漏极电流和仅为3.4毫欧的超低导通电阻，它能将功率损耗降至最低，让能量转换效率达到全新高度，这意味着更长的续航、更低的发热以及更小的散热设计压力，直接为您的终端产品带来显著的竞争优势。

这颗芯片的强大性能，使其在众多高要求的应用场景中游刃有余。无论是新能源汽车中负责能量分配与电机驱动的DC-DC转换器和逆变器，还是工业自动化设备里需要频繁开关和承载大电流的电机控制单元，DMTH6004SCTBQ-13都能轻松应对。它符合严苛的AEC-Q101汽车级标准，工作温度范围宽达-55°C至175°C，这意味着即使在极寒或酷热的极端环境下，它依然能稳定工作，确保您的系统全天候可靠运行。对于服务器电源、不间断电源（UPS）等高密度、高可靠性要求的领域，其卓越的开关特性和强大的功率处理能力，正是构建下一代高效能平台的基础。

选择DMTH6004SCTBQ-13，就是选择了一份经得起考验的卓越与安心。它来自业界知名的Diodes Incorporated，其品质与性能久经市场验证。高达136W（Tc）的功率耗散能力，配合TO-263AB（D2PAK）封装，提供了出色的散热性能和机械强度，非常适合自动化表面贴装生产，能有效提升您的制造良率。当您需要为关键项目寻找可靠的功率解决方案时，通过值得信赖的DIODES授权代理获取这颗芯片，不仅能确保原装正品和稳定供应，更能获得专业的技术支持，让您的产品从设计到量产一路畅通。它不仅仅是一个组件，更是您释放产品潜能、赢得市场先机的战略伙伴。

• 型号:DMTH6004SCTBQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-263
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 毫欧 @ 100A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.7W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为寻找一颗能同时满足高效率、高可靠性和大电流承载能力的功率开关而烦恼吗？DMTH6004SCTBQ-13正是您期待的答案。这颗60V/100A的N沟道MOSFET，以其惊人的3.4毫欧超低导通电阻，能显著降低系统导通损耗，让您的电源设计效率轻松跃升，同时减少热管理负担。

它专为严苛环境而生，符合汽车级AEC-Q101标准，工作结温高达175°C，确保在汽车动力系统、工业电机驱动等关键应用中稳定如山。其优化的栅极电荷和开关特性，让您能够实现更高频率的开关操作，从而设计出更紧凑、功率密度更高的解决方案。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。