DMN62D0UW-13

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界，您是否正在寻找一款能够在小空间内实现高效功率控制的解决方案？今天，我们为您带来一款性能与尺寸完美平衡的明星产品DMN62D0UW-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其高达60V的漏源电压和340mA的连续漏极电流，为您的小型化设备注入强劲而稳定的动力核心。它不仅仅是一个电子元件，更是您产品实现高效、可靠运行的关键钥匙。

想象一下，在便携式医疗设备、智能穿戴、IoT传感器模块或是高密度电源管理单元中，空间是多么宝贵。这正是DMN62D0UW-13大显身手的舞台。其超低的导通电阻（仅2欧姆@100mA, 4.5V）意味着更少的能量损耗在发热上，让您的设备续航更持久，运行更冷静。极低的栅极电荷（0.5nC）和输入电容（32pF）确保了快速的开关速度，这对于需要高频切换的DC-DC转换器、负载开关和信号路径管理应用至关重要，能显著提升系统的整体响应速度和效率。

选择DMN62D0UW-13，就是选择了一份从容与安心。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了它卓越的环境适应性，无论是严寒还是酷热，都能稳定如一。SOT-323的超小型封装，让您在PCB布局上拥有前所未有的自由度，轻松实现高密度集成，为产品“瘦身”的同时不减性能。更重要的是，通过与可靠的DIODES代理合作，您不仅能获得这颗优质芯片，还能享受到稳定的供货保障和专业的技术支持，让您的产品从设计到量产一路畅通。让DMN62D0UW-13成为您下一个创新项目的强大心脏，开启高效节能的新篇章。

• 型号:DMN62D0UW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):340mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:32 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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还在为空间受限的电路设计而烦恼吗？让DMN62D0UW-13来为您排忧解难！这颗小巧的N沟道MOSFET是专为高效功率控制而生的利器。它能在您的手持设备、传感器或电源模块中，轻松实现快速的负载开关和高效的信号路径管理，其低至2欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，确保能量损耗最小化，让您的产品运行更冷静、续航更持久。

凭借60V的耐压和340mA的驱动能力，它为您提供了可靠的安全边际。超小的SOT-323封装让高密度集成变得轻而易举，而宽广的工作温度范围则保证了它在各种严苛环境下的稳定表现。选择DMN62D0UW-13，就是为您的设计选择了一颗高效、可靠且节省空间的心脏。