DMTH4014LPDQ-13

在追求极致能效的汽车电子设计中，您是否还在为功率器件的散热、空间和可靠性而烦恼？想象一下，一个集双通道、低导通电阻与卓越热性能于一身的解决方案，将如何彻底改变您的电源管理设计。DMTH4014LPDQ-13正是为此而生，它不仅仅是一颗MOSFET，更是您通往更高集成度、更强性能和更可靠系统的关键钥匙。

这颗来自Diodes Incorporated的汽车级双N沟道MOSFET阵列，以其高达40V的漏源电压和低至15毫欧的导通电阻，为您带来前所未有的高效率。无论是驱动电机、管理LED矩阵，还是处理复杂的负载开关，它都能确保能量以最小的损耗顺畅传输。其出色的热性能在壳温条件下功率高达42.8W意味着即使在严苛的引擎舱环境或持续高负载运行下，它也能保持冷静与稳定，大幅提升系统整体寿命和可靠性。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而稳健的“心脏”。

从智能座舱的背光控制到车身域控制器中的执行器驱动，从ADAS传感器的电源路径管理到新能源车的高效DC-DC转换，DMTH4014LPDQ-13的应用场景无处不在。它紧凑的8-PowerTDFN封装专为高密度PCB设计优化，在节省宝贵板级空间的同时，其表面贴装特性也让自动化生产变得轻而易举。面对-55°C至175°C的宽工作结温范围，它从容应对极端温度挑战，确保您的产品在全球任何气候条件下都能稳定运行，这份由AEC-Q101认证背书的质量承诺，让您的设计毫无后顾之忧。

那么，为何最终选择它？答案在于其无与伦比的综合价值。它将双通道集成与低栅极电荷（仅10.2nC）相结合，显著降低了驱动电路的复杂性和开关损耗，让您的系统响应更快、能效更高。同时，通过正规的DIODES代理渠道获取，您不仅能确保芯片的原装正品与稳定供应，更能获得专业的技术支持和供应链保障。在竞争白热化的市场中，DMTH4014LPDQ-13是您提升产品性能、缩短开发周期、并赢得客户信赖的明智之选。立即采用，开启高效可靠的电源管理新纪元。

• 型号:DMTH4014LPDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.6A（Ta），43.6A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:733pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.41W（Ta），42.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
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您正在寻找一颗能同时提升效率、节省空间并保证汽车级可靠性的功率开关吗？DMTH4014LPDQ-13双N沟道MOSFET阵列正是您的理想答案。它凭借低至15毫欧的导通电阻和高达43.6A的连续漏极电流，让您的系统能量损耗大幅降低，运行更加高效强劲。

这颗芯片能为您做什么？它集成了两个高性能MOSFET于紧凑的8-PowerTDFN封装内，让您轻松实现高密度板级设计，完美应对空间受限的汽车电子应用。其卓越的热性能（最大功率42.8W @ Tc）和宽广的-55°C ~ 175°C工作温度范围，确保了在恶劣环境下依然稳定可靠，全面满足AEC-Q101标准，为您的产品品质保驾护航。