BSS123-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款体积小巧、性能可靠的高压开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出BSS123-7，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的耐压能力和170mA的连续漏极电流，为您的高压小电流应用场景提供了完美的解决方案。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品可靠性、简化电路设计的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备电源管理模块中，或者在需要精密信号切换的通信接口里，BSS123-7能够轻松胜任。其SOT-23-3的超紧凑封装，让它在空间受限的PCB板上游刃有余，帮助您实现更小巧、更集成的产品设计。高达150°C的结温工作范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定运行，无论是消费电子还是工业控制领域，它都能成为电路中最值得信赖的一环。选择我们，您就选择了一个可靠的DIODES芯片代理伙伴，为您提供从选型到供应的全程支持。

为何众多工程师在众多选项中独爱BSS123-7？因为它精准地平衡了性能与成本。10V的驱动电压即可实现高效导通，6欧姆的低导通电阻有效减少了功率损耗，提升了整体能效。虽然该型号已停产，但其成熟的设计、广泛的应用验证和可能存在的库存或替代方案，使其依然是许多经典或特定项目设计中经久不衰的选择。它代表的是一种经过时间考验的稳定性和价值，为您的产品注入持久的生命力。

• 型号:BSS123-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取BSS123-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在设计需要高压、小电流精准控制的电路吗？BSS123-7正是为您而来。这颗N沟道MOSFET能为您做什么？它就像一个高效、敏捷的电子开关，让您轻松控制高达100V的电压和170mA的电流通路，特别适用于电源管理、信号切换和负载驱动等关键环节。

凭借其仅需10V的低驱动电压和低至6欧姆的导通电阻，它能显著降低您的系统功耗，提升能源利用效率。超小的SOT-23-3贴片封装，让您能最大限度地节省宝贵的电路板空间，实现更紧凑、更优雅的产品设计。选择BSS123-7，就是选择了一个久经考验的可靠解决方案，让您的电路设计更高效、更稳定。