DMTH4007SPDQ-13

想象一下，您的电源管理系统正在经历怎样的挑战？效率瓶颈、散热难题、空间限制，这些是否正制约着产品的性能突破？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案DMTH4007SPDQ-13。这颗来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，以其卓越的40V耐压和高达14.2A的连续漏极电流能力，正重新定义功率转换的边界。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

当您面对高密度电源设计时，低导通电阻意味着什么？DMTH4007SPDQ-13给出了令人振奋的答案：在17A、10V条件下，其导通电阻低至惊人的8.6毫欧。这微小的数字背后，是显著降低的传导损耗和发热量，直接转化为更长的电池续航、更冷静的系统运行以及更可靠的长期性能。无论是忙碌的服务器数据中心，还是高速运行的电动工具，亦或是追求极致能效的消费类快充产品，这颗芯片都能游刃有余地应对高电流切换的严苛要求，让能量以最高效的方式流动。

选择DMTH4007SPDQ-13，就是选择了一种面向未来的设计哲学。其采用先进的PowerDI506封装，在极小的占板面积内集成了双通道MOSFET，为您的PCB布局释放出宝贵的空间，让产品设计更加紧凑、灵活。高达175°C的结温工作范围，确保了它在极端环境下的稳定输出，大大提升了系统的鲁棒性。同时，优化的栅极电荷（仅41.9nC @ 10V）和输入电容特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用，让您的电源拓扑设计如虎添翼。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗性能利器，DIODES中国代理将为您提供从技术选型到供应链支持的全方位服务。

归根结底，在激烈的市场竞争中，细节决定成败。DMTH4007SPDQ-13正是那个能帮助您打磨关键细节的“工匠”。它用扎实的参数和可靠的性能，将高效率、高功率密度和高可靠性的承诺变为现实。从原型设计到量产爬坡，选择它，就是为您的产品注入了强大的“芯”动力，让您在追求卓越性能的道路上，每一步都走得更加自信、从容。现在，是时候用这颗芯片，点亮您下一个产品的无限可能了。

• 型号:DMTH4007SPDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.6 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2026pF @ 30V
• 功率 - 最大值:2.6W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 想获取DMTH4007SPDQ-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？DMTH4007SPDQ-13双N沟道MOSFET阵列，正是为您破解这一难题而生。它凭借低至8.6毫欧的导通电阻和高达14.2A的电流处理能力，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片采用紧凑的PowerDI506封装，为您节省宝贵的电路板空间，轻松实现高功率密度设计。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和优化的动态参数，确保它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作。选择它，就是选择让您的产品在能效和可靠性上获得双重优势。