BSS84-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能精准控制微小电流，又能保持电路简洁高效的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来的BSS84-7，正是这样一颗能够完美平衡性能与尺寸的微型功率开关解决方案。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品可靠性与能效表现的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、智能穿戴或物联网传感器模块中，需要一颗可靠的开关来控制电源路径或信号通断。BSS84-7凭借其P通道设计和仅130mA的连续漏极电流能力，正是为这类低功耗、高密度应用而生。其高达50V的漏源电压耐压值，为您的电路提供了宽裕的安全余量，确保在电压波动时依然稳定如山。而仅需5V的驱动电压即可实现低导通电阻，这意味着它能够被微控制器或逻辑芯片轻松驱动，极大简化了您的驱动电路设计，让整体方案更加紧凑。

这款芯片的魅力远不止于此。它采用经典的SOT-23-3超小型封装，面积几乎可以忽略不计，却能胜任从-55°C到150°C的严苛工作环境。无论是置于炎热的汽车电子舱内，还是藏在寒冷的户外监测设备中，它都能忠实地执行开关指令。其低至45pF的输入电容，确保了极快的开关速度，有效减少了开关损耗，这对于电池供电设备延长续航时间至关重要。当您需要一款能够高效管理微小功率、节省空间且稳定可靠的开关时，BSS84-7无疑是经过市场验证的明智之选。如需获取稳定的供货与专业的技术支持，请随时联系我们的DIODES中国代理团队。

选择BSS84-7，就是选择了一份来自Diodes Incorporated的品质承诺。它虽然已停产，但其成熟的设计、广泛的适用性以及在众多成功产品中积累的口碑，使其成为经典设计中依然闪耀的明星。它能让您的设计摆脱复杂外围电路的束缚，用最简洁的方式实现精准的功率控制，将更多的板载空间和设计精力留给核心功能创新。让这颗小巧而强大的芯片，成为您下一款精品设计中那个默默奉献却不可或缺的关键角色吧。

• 型号:BSS84-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:45 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取BSS84-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为复杂的电源开关电路头疼吗？让BSS84-7来简化您的工作！这颗由Diodes Incorporated出品的P沟道MOSFET，是专为低功率开关和负载管理而生的高效能手。它能在高达50V的电压下，以130mA的电流可靠工作，仅需5V电压即可轻松驱动，让您的MCU或逻辑电路直接控制电源通断变得轻而易举。

它采用极小的SOT-23-3封装，能为您节省宝贵的电路板空间，非常适合便携式设备、智能传感器模块等对尺寸敏感的应用。其优异的开关特性（低输入电容）和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了在各种环境下都能稳定、高效地运行。选择它，就是为您的产品选择了一份简洁、可靠与高效。