DMTH4007LPS-13

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个关键元件能将系统整体效率提升一个台阶，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。今天，我们向您隆重介绍这款性能卓越的功率开关解决方案DMTH4007LPS-13。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品力、实现设计突破的得力助手。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其40V的漏源电压和高达15.5A（Ta）的连续漏极电流能力，为中等功率应用树立了新的标杆。其核心魅力在于极低的导通电阻，在10V驱动电压下，仅6.5毫欧的Rds(on)值意味着更少的导通损耗，电能得以更高效地传递，而非转化为无谓的热量。这直接转化为更长的设备运行时间、更小的散热器需求以及更安静的系统运行环境。无论是忙碌的服务器机房，还是高速运转的工业电机，亦或是追求轻薄的便携式设备，DMTH4007LPS-13都能游刃有余，确保动力核心的稳定与高效。

选择它，就是选择了一份可靠与高效。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，开关损耗显著降低，特别适合高频开关应用，如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关。PowerDI5060-8封装不仅提供了优异的散热性能，支持高达150W（Tc）的功率耗散，其紧凑的表面贴装形式更为您的PCB布局节省了宝贵空间。从-55°C到175°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，大大提升了终端产品的可靠性和环境适应性。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，我们的DIODES一级代理身份将为您提供从选型到供应的全程保障。

归根结底，在元器件选型时，您需要的不是一个冰冷的参数列表，而是一个能切实解决痛点、创造价值的合作伙伴。DMTH4007LPS-13正是这样一位伙伴。它将卓越的电气性能、坚固的物理封装和广泛的应用适应性融为一体，旨在帮助您的设计摆脱能效瓶颈，释放全部潜能。让它成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能管理新篇章。

• 型号:DMTH4007LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1895 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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您正在寻找一颗能同时兼顾高效能与高可靠性的功率开关吗？DMTH4007LPS-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有40V耐压和15.5A的强劲电流处理能力，其核心优势在于极低的6.5毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，散热能力出众，节省板级空间。优化的开关特性（低Qg和Ciss）让它在高频开关电路中表现敏捷，轻松应对DC-DC转换、电机控制等挑战。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）确保了它在各种环境下稳定如一，极大地提升了您最终产品的可靠性。