DMTH4007LK3Q-13

当您的下一个汽车电子或工业电源项目需要兼顾高效率与极致可靠性时，您是否正在寻找一颗能够承受严苛环境考验的功率开关解决方案？答案或许就藏在DMTH4007LK3Q-13这颗卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您系统稳定性和性能飞跃的基石。凭借其高达40V的漏源电压和惊人的70A（Tc）连续漏极电流能力，它为高功率密度设计提供了坚实的硬件基础，让能量转换过程更加流畅、损耗更低。

想象一下，在电动汽车的电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）或DC-DC转换器中，稳定与高效是生命线。DMTH4007LK3Q-13正是为此而生。它通过了严苛的AEC-Q101汽车级认证，这意味着它能在-55°C到175°C的极端结温范围内稳定工作，从容应对引擎舱的高温震动或寒冷地区的低温启动挑战。其低至7.3毫欧的导通电阻（Rds(on)），在20A电流、10V驱动电压下，能将导通损耗降至极低，直接转化为更长的续航里程、更低的系统发热和更紧凑的散热设计。无论是工业电机驱动、电源模块，还是需要高效开关的任何应用场景，它都能确保您的产品在激烈的市场竞争中，凭借卓越的能效表现脱颖而出。

选择DMTH4007LK3Q-13，就是选择了一份来自Diodes Incorporated的品质承诺与性能保障。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，驱动更轻松，有助于提升整体系统的开关频率和响应速度。采用坚固的TO-252（DPAK）表面贴装封装，不仅便于自动化生产，也提供了出色的功率耗散能力。当您致力于打造下一代可靠、高效的电子产品时，这颗芯片就是您值得信赖的伙伴。如需获取详细的技术支持、样品或采购信息，欢迎联系我们的DIODES中国代理，我们将为您提供从选型到量产的一站式服务，助力您的创意迅速落地成可靠的产品。

• 型号:DMTH4007LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.8A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1895 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为寻找一颗能在汽车和工业应用中扛起大梁的功率开关而烦恼吗？DMTH4007LK3Q-13就是您的高效答案。这颗N沟道MOSFET拥有40V耐压和高达70A（Tc）的电流承载能力，其核心价值在于极低的7.3毫欧导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它专为严苛环境设计，通过了AEC-Q101汽车级认证，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保在震动、高低温冲击下依然稳定可靠。无论是用于电机控制、电源转换还是负载开关，它都能让您轻松实现高效率、高可靠性的设计目标，是提升产品市场竞争力的强力引擎。