DMP2170U-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间与性能的平衡而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出DMP2170U-7，这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，以其卓越的性能重新定义了小型化功率器件的标准。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的手持设备、便携式消费电子或车载辅助系统中，需要一颗能够在有限空间内高效、可靠地控制电源通断的“开关”。DMP2170U-7正是为此而生。它采用紧凑的SOT-23封装，却蕴含着强大的能量：高达20V的漏源电压和3.1A的连续漏极电流，足以应对多种负载切换需求。其极低的导通电阻（典型值仅90毫欧@4.5V）意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接提升了终端产品的续航时间和运行稳定性。无论是智能手机的负载开关、平板电脑的电源路径管理，还是汽车电子中的低功耗模块控制，它都能游刃有余，确保系统高效、冷静地运行。

选择DMP2170U-7，就是选择了一份安心与超越。它隶属于Automotive, AEC-Q101产品系列，经过了严苛的汽车级认证，工作温度范围宽达-55°C至150°C，这意味着它拥有无与伦比的可靠性与环境适应性，不仅能满足消费电子的需求，更能从容应对汽车应用的振动、高温等挑战。其优化的栅极电荷和输入电容，确保了快速、干净的开关动作，让您的系统响应更迅捷，整体性能更上一层楼。当您需要稳定可靠的供应链与专业的技术支持时，我们的DIODES代理团队随时待命，为您从选型到量产提供全程护航。让DMP2170U-7成为您下一个爆款产品的“心脏”，开启高效、可靠、紧凑的电源管理新纪元。

• 型号:DMP2170U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.25V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:303 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:780mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在寻找一颗能兼顾高性能与小体积的P沟道MOSFET吗？DMP2170U-7就是您的理想之选。这颗芯片能为您做什么？它就像一个高效、敏捷的电源开关，让您轻松管理高达3.1A的电流，同时将导通损耗降至最低，显著提升设备的能效与续航。

得益于其仅90毫欧的低导通电阻和优化的动态参数，它能让您的系统开关动作更快、发热更少，运行更稳定可靠。无论是用于便携设备的负载开关，还是汽车电子中的电源控制，它都能完美胜任，助您打造出更紧凑、更高效、更具竞争力的产品。