DMTH4004SCTBQ-13

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个关键功率开关，不仅需要承载高达100A的电流，还要在严苛的汽车环境中稳定运行，同时将导通损耗降至最低这听起来像是一个苛刻的挑战，但正是DMTH4004SCTBQ-13诞生的意义。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其仅为3毫欧的超低导通电阻，重新定义了40V电压等级下的功率密度与效率边界，让您的电源设计从妥协走向卓越。

当我们将目光投向其广阔的应用舞台，这颗芯片的价值便愈发闪耀。在新能源汽车的DC-DC转换器和电机驱动系统中，它如同一位不知疲倦的“能量守门员”，高效地管理着电池与负载之间的能量流动，极低的Rds(on)意味着更少的热量产生和更高的系统续航。在工业自动化领域，无论是伺服驱动器还是大功率开关电源，其100A的连续电流能力和高达175°C的结温工作范围，确保了设备在长时间、高负荷运行下的坚如磐石。即便是在对空间和散热极为苛刻的通信基站电源模块中，其TO-263AB（DPAK）封装也提供了优异的功率耗散能力，让紧凑型设计不再为性能让步。选择与可靠的DIODES芯片代理合作，您获得的不仅仅是这颗芯片，更是从选型到量产的全方位技术保障。

那么，为何众多工程师在面临关键选择时，会倾向于DMTH4004SCTBQ-13？答案在于它精准击中了高性能设计的核心痛点。首先，其超低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss），显著降低了开关过程中的损耗，让您的系统开关频率可以更高，磁性元件体积得以缩小，从而实现整体方案的小型化与轻量化。其次，它严格遵循AEC-Q101汽车级标准，从材料到工艺都经历了最严苛的可靠性验证，这为您产品的长期稳定性和市场竞争力提供了坚实的背书。最后，在40V的电压平台上，将导通电阻做到3毫欧级别，同时保持优异的散热与电流能力，这本身就是一项工程艺术的体现。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品效率、可靠性与功率密度的战略支点，让每一次能量转换都更加干净利落，为最终用户带来更安静、更持久、更强大的使用体验。

• 型号:DMTH4004SCTBQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-263
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 100A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.7W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能同时驾驭高电流、低损耗与高可靠性的功率开关吗？DMTH4004SCTBQ-13正是为您而来的解决方案。这颗40V/100A的N沟道MOSFET，凭借其惊人的3毫欧超低导通电阻，能显著降低您系统中的传导损耗，让宝贵的电能更多地用于驱动负载，而非转化为无用的热量。

它专为严苛环境而生，符合汽车级AEC-Q101标准，确保在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定工作。无论是用于汽车电子的电机控制、DC-DC转换，还是工业电源、通信设备中的功率管理，它都能让您的设计轻松应对高负荷挑战。其TO-263AB封装提供了卓越的散热性能，帮助您构建更紧凑、更高效、更可靠的下一代电源系统。