ZXM64P03XTC

当您的设计需要在小空间内实现高效功率切换时，是否曾为寻找一颗性能与尺寸完美平衡的MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。ZXM64P03XTC正是为应对这一挑战而生。这款来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，以其卓越的电气性能和紧凑的8-MSOP封装，为您带来前所未有的设计自由度和系统可靠性。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品能效、优化空间布局、加速上市进程的关键伙伴。

想象一下，在便携式设备的电源管理模块中，它如何以极低的导通电阻（仅75毫欧）和高达3.8A的连续电流处理能力，确保电能高效传输，同时将热量和损耗降至最低。在电机驱动、负载开关或电池保护电路中，其30V的漏源电压和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），让您的产品能够从容应对各种严苛环境，稳定运行。无论是消费电子、工业控制还是汽车辅助系统，这颗芯片都能无缝融入，成为系统背后默默奉献的“能量守护者”。

选择ZXM64P03XTC，意味着您选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。其优化的栅极电荷（仅46nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接助力提升整体系统效率。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和出色的性能使其在特定应用和现有产品维护中依然极具价值。为了确保您能顺利获取这颗经典芯片或寻找其升级替代方案，我们建议您联系专业的DIODES中国代理，他们能为您提供精准的库存信息、技术支持和完整的供应链服务，让您的物料采购无忧，全心专注于核心创新。

• 型号:ZXM64P03XTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 2.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:825 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-MSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118
• 想获取ZXM64P03XTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路板上的功率开关器件占用宝贵空间而头疼吗？ZXM64P03XTC这颗P沟道MOSFET就是您的理想解决方案。它能为您高效、可靠地控制电流的通断，凭借仅75毫欧的低导通电阻和3.8A的电流能力，显著减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。

这颗芯片采用紧凑的8-MSOP表面贴装封装，能轻松集成到空间受限的便携式设备、电源模块或电机驱动电路中。其30V的耐压和宽温度范围特性，确保它在各种应用环境下都能稳定工作。选择它，就是选择了一种让设计更简洁、性能更出众的便捷途径。