DMTH4001SPS-13

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在紧凑空间内需要处理高达100A的电流时，您是否在寻找一个既能提供卓越性能，又能确保系统长期可靠性的解决方案？答案就在DMTH4001SPS-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其仅为1毫欧的超低导通电阻，在30A、10V条件下，将导通损耗降至极低水平，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。这意味着，无论是面对持续的高负载挑战，还是在追求极致的能源转换，它都能让您的产品脱颖而出，为用户带来更持久、更稳定的使用体验。

想象一下，在服务器电源、高性能计算设备的VRM模块、或是电动工具和无人机的电机驱动电路中，电流的快速、高效切换是核心命脉。DMTH4001SPS-13正是为此类高要求应用场景而生。其40V的漏源电压和100A的连续漏极电流能力，为系统提供了坚实的功率处理基础。而187nC的较低栅极电荷，确保了快速的开关速度，减少了开关损耗，特别适合高频开关应用。从-55°C到175°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的非凡韧性，让您的设备无论身处何地都能稳定运行。

选择DMTH4001SPS-13，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计理念。其先进的PowerDI5060-8封装，在极小的占板面积内实现了出色的散热性能和功率密度，完美契合当今电子产品小型化、集成化的趋势。这能让您的PCB布局更加灵活，整体设计更加紧凑。为了确保您能便捷、可靠地获得这颗优质芯片及其全面的技术支持，我们推荐您通过官方授权的DIODES中国代理进行采购。从消费电子到工业动力，DMTH4001SPS-13以卓越的性能和可靠性，成为工程师们信赖的功率开关核心，助力您的创意转化为更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMTH4001SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:187 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:14023 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.09W（Ta），187.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为功率转换系统的效率和散热问题烦恼吗？DMTH4001SPS-13正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有惊人的100A连续电流处理能力和低至1毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高，直接提升终端产品的续航和可靠性。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在节省宝贵电路板空间的同时，提供了优异的散热特性。无论是用于DC-DC转换器、电机驱动还是负载开关，它都能让您轻松应对高电流挑战，实现高效、紧凑的电源设计。选择它，就是为您的产品注入强劲而高效的动力核心。