BSS138K-13

在追求极致紧凑与高效能的设计中，工程师们是否常常为寻找一颗既能满足低压高效驱动，又能确保稳定可靠性的小型MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来的BSS138K-13，正是这个问题的完美答案。它不仅仅是一个电子元件，更是您释放设计潜能、提升产品竞争力的关键钥匙。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能和微小的SOT-23封装，正在重新定义小型化应用的功率开关标准。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或是精密的物联网传感器中，空间是何等宝贵。BSS138K-13正是为此而生。它50V的漏源电压和310mA的连续漏极电流，足以轻松应对各类低压信号切换、负载开关和电平转换任务。其低至1.5V的栅极阈值电压，意味着它能够被微控制器或逻辑电路轻松驱动，极大地简化了您的驱动电路设计，让系统整体功耗更低，响应更迅捷。无论是为蓝牙模块进行电源管理，还是在电池供电设备中实现高效节能的开关控制，它都能游刃有余，确保每一份电能都被精准利用。

选择BSS138K-13，就是选择了一份可靠与高效的双重保障。其仅3.5欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），显著降低了导通损耗，意味着更少的发热和更高的能源效率，这对于延长电池寿命至关重要。同时，高达380mW的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了它出色的环境适应性和长期运行稳定性。当您需要稳定可靠的供应链和专业技术支持时，我们的DIODES代理商网络随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。这颗小小的芯片，承载的是Diodes对品质的坚持，它将帮助您的产品在激烈的市场竞争中，以更稳定的性能、更长的续航和更紧凑的形态脱颖而出。

• 型号:BSS138K-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):310mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.95 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:23.2 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:380mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为电路板上的空间捉襟见肘而发愁吗？BSS138K-13就是您梦寐以求的解决方案。这颗N沟道MOSFET专为空间受限的高效应用而设计，能让您轻松实现精准的信号切换与电源管理。

它拥有50V的耐压和310mA的电流处理能力，配合低至1.5V的驱动门槛，让您的微控制器或逻辑芯片可以直接、高效地控制它，极大简化外围电路。其SOT-23的超小封装和仅3.5欧姆的低导通电阻，意味着您可以在节省宝贵板面积的同时，获得更低的功耗和发热，从而让您的便携式设备运行更持久、更可靠。