DMTH10H4M5LPS-13

想象一下，您的下一代电源设计，能否在保持极致效率的同时，轻松应对严苛的功率密度挑战？答案就藏在DMTH10H4M5LPS-13这颗性能卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的秘密武器。凭借其N沟道设计和100V的漏源电压能力，它为高效能量转换树立了新的标杆，让您的设计从众多方案中脱颖而出，直接命中高性能与高可靠性的核心需求。

无论是服务器电源中需要处理瞬态大电流的同步整流环节，还是工业电机驱动中要求快速响应的开关应用，甚至是不断追求轻量化与长续航的新能源汽车车载充电器(OBC)，DMTH10H4M5LPS-13都能游刃有余。其4.3毫欧的超低导通电阻（在10V驱动下），意味着更少的导通损耗和更低的发热，直接转化为更高的系统效率和更小的散热设计压力。在-55°C到175°C的宽广结温范围内稳定工作，确保了设备在极端环境下的出色可靠性，让您的产品无惧挑战。

选择DMTH10H4M5LPS-13，就是选择了一份从容与信心。它高达100A（Tc）的连续漏极电流承载能力，配合PowerDI5060-8封装优异的散热特性，让您在追求功率密度的道路上大胆前行。更低的栅极电荷（仅80nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升开关电源频率、缩小磁性元件体积至关重要。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系专业的DIODES代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。这颗芯片的价值，不仅在于其参数表上的漂亮数字，更在于它能为您的终端产品带来的能效提升、体积优化和无可挑剔的稳定性，是助力您赢得市场的关键一环。

• 型号:DMTH10H4M5LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.3 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4843 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMTH10H4M5LPS-13正是为您解决这一核心痛点的利器。这颗100V N沟道功率MOSFET，凭借低至4.3毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级，直接帮助终端产品节省能源、降低温升。

它能让您在设计高功率密度应用时更加得心应手。高达100A的电流承载能力和优化的PowerDI5060-8封装，确保了出色的散热性能和功率处理能力。同时，其快速的开关特性有助于您提高工作频率，从而缩小变压器等被动元件的尺寸，让您的产品在性能和体积上获得双重优势。