2N7002VA-7-F

在追求极致紧凑与高效能的设计中，您是否曾为寻找一款既能节省宝贵PCB空间，又能提供可靠开关性能的双通道MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们隆重介绍2N7002VA-7-F，这款来自Diodes Incorporated的微型功率开关解决方案，正以其卓越的集成度和稳定性，重新定义小型化电子设备的可能性。

想象一下，在您的手持设备、可穿戴产品或是高密度模块中，每一个平方毫米都至关重要。2N7002VA-7-F采用超紧凑的SOT-563封装，将两个独立的N沟道MOSFET集成于方寸之间，其占板面积之小，足以让您的布局设计游刃有余。它绝非简单的空间节省者，60V的漏源电压和280mA的连续漏极电流，意味着它能从容应对各种信号切换、负载驱动和电源管理任务，从电池保护电路到LED背光控制，从数据接口切换再到低功率电机驱动，它都能成为您电路中沉默而可靠的基石。

选择2N7002VA-7-F，就是选择了一份经过市场验证的安心。其标准化的FET功能与稳定的性能参数，确保了批量生产中的一致性与可靠性。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用基础，使其成为许多经典和长生命周期项目的理想选择。通过值得信赖的DIODES一级代理进行采购，您不仅能获得正品保障和稳定的供货支持，更能获取专业的技术选型建议，确保这颗高效能“双核”开关能完美融入您的系统，以微小的身躯，释放出驱动创新的巨大能量。

• 型号:2N7002VA-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:150mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• 想获取2N7002VA-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路板上的空间捉襟见肘而发愁吗？2N7002VA-7-F就是为您的高密度设计而生。这颗双N沟道MOSFET将两个独立的开关单元集成在微小的SOT-563封装内，让您轻松实现信号路径切换、低功率负载驱动或电源分配功能，同时为您的PCB布局节省出宝贵空间。

它不仅仅小巧。凭借60V的耐压能力和最高280mA的驱动电流，它能稳健地处理各种低压控制任务。其低至2.5V的栅极阈值电压，让它可以与多种逻辑电平（包括3.3V和5V系统）高效兼容，简化您的驱动电路设计。选择它，就是选择了一种让产品更紧凑、更可靠的智能方式。