DMTH6004SCTB-13

当您的下一代汽车电子或工业电源系统需要同时应对高功率密度和严苛环境的双重挑战时，您是否在寻找一颗既能承载大电流，又能保持冷静与高效的“心脏”？答案就在DMTH6004SCTB-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能，正重新定义60V/100A应用领域的效率标杆。

想象一下，在电动汽车的电机驱动器中，每一次加速指令都需要功率开关器件以极低的损耗进行快速响应。DMTH6004SCTB-13凭借其低至3.4毫欧的导通电阻，能将导通损耗大幅降低，这意味着更少的能量以热量的形式浪费，更多的能量用于驱动车辆，直接提升续航里程。其高达100A的连续电流承载能力，确保了即使在峰值负载下也能稳定运行，为48V轻混系统、DC-DC转换器以及电池管理系统提供了坚实的保障。不仅如此，它宽广的-55°C至175°C结温工作范围，让其无惧从冰天雪地到引擎舱高温的极端考验，可靠性贯穿产品全生命周期。

这颗芯片的价值远不止于参数表。它将高效能与高可靠性融为一体，让您的设计从激烈的市场竞争中脱颖而出。选择DMTH6004SCTB-13，意味着您选择了一个经过AEC-Q101车规认证的解决方案，这不仅是质量的象征，更是通往汽车电子高端市场的通行证。其TO-263AB（D2PAK）封装兼顾了优异的散热性能和自动化贴装便利性，能帮助您优化PCB布局，简化生产流程。当您致力于打造更节能、更可靠、更具竞争力的产品时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴。如需获取样品、技术资料或采购支持，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您提供本土化的专业服务，助力您的创意快速落地。

• 型号:DMTH6004SCTB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-263
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 毫欧 @ 100A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.7W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取DMTH6004SCTB-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高功率开关应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？DMTH6004SCTB-13正是为您而来的解决方案。这颗车规级N沟道MOSFET，能轻松驾驭高达100A的连续电流和60V的电压，其核心魅力在于超低的3.4毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它不仅仅是一颗开关，更是您提升产品可靠性的关键。通过AEC-Q101认证，确保它在汽车电子等恶劣环境下依然稳定如一。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和强大的功率处理能力，让您在设计电机驱动、电源转换或负载开关时充满信心，轻松应对各种严苛挑战。