DMTH10H015LPS-13

在追求极致能效的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能在高达175°C结温下稳定工作，同时将导通电阻压至毫欧级别的功率MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。这正是DMTH10H015LPS-13为您带来的核心价值它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现高效可靠运行的强大引擎。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，专为严苛环境而生。其100V的漏源电压和高达44A（Tc）的连续漏极电流能力，让它从容应对汽车电子、工业电源、电机控制等领域的挑战。无论是新能源汽车中的DC-DC转换器、电池管理系统，还是服务器电源中的同步整流、电机驱动中的H桥电路，DMTH10H015LPS-13都能凭借其卓越的电气性能和AEC-Q101车规级认证，确保系统在振动、高温、高湿等复杂工况下依然坚如磐石。其超低的16毫欧导通电阻（@10V, 20A）意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率，让您的终端产品在能效比拼中脱颖而出。

选择DMTH10H015LPS-13，就是选择了一份经得起未来考验的保障。它采用先进的PowerDI5060-8封装，在极小的占板面积内实现了优异的散热性能和功率处理能力，非常适合空间紧凑的现代电子设计。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，显著降低了开关损耗和EMI干扰，让您的系统运行更安静、更高效。从原型设计到量产，拥有一颗可靠的心脏至关重要。我们建议您通过官方授权的DIODES代理商进行采购，以确保获得原装正品、完整的技术支持以及稳定的供货渠道，为您的项目成功保驾护航。让DMTH10H015LPS-13成为您下一个明星产品的秘密武器，开启高效、可靠、高性能的新篇章。

• 型号:DMTH10H015LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Ta），44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta），46W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为功率器件的效率瓶颈和散热难题寻找解决方案吗？DMTH10H015LPS-13正是您期待的答案。这颗100V N沟道MOSFET拥有低至16毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率，让热量更少，性能更持久。

它专为高要求应用设计，提供高达44A（Tc）的电流承载能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，结合AEC-Q101车规认证，确保在汽车、工业等恶劣环境中依然稳定可靠。其优化的开关特性（低Qg和Ciss）让您轻松实现快速、干净的开关切换，有效减少开关损耗和噪声干扰。

采用紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装，它在节省宝贵电路板空间的同时，提供了出色的散热性能。选择DMTH10H015LPS-13，就是为您的产品注入一颗高效、强劲且值得信赖的“心脏”。