DMTH10H009LPS-13

在追求极致能效的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能在高频切换中保持冷静、以极低阻抗畅通大电流的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局。现在，这一切不再是想象，DMTH10H009LPS-13正是为此而生的卓越答案。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的耐压和高达100A（Tc）的连续电流能力，为您打开了高效功率管理的新大门。其核心魅力在于惊人的低导通电阻在10V驱动下仅8毫欧，这意味着电流流过时的损耗被降至极低，更多的电能被有效利用，而非转化为恼人的热量。无论是服务器电源中要求苛刻的同步整流，还是电动工具里需要爆发力的电机驱动，亦或是新能源车载充电器(OBC)中追求紧凑与高效并重的拓扑，它都能游刃有余，确保系统在高负载下依然稳定、凉爽、持久运行。

选择DMTH10H009LPS-13，就是选择了一份从容与可靠。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss），显著降低了驱动损耗，让开关速度更快，系统频率得以提升，同时简化您的驱动电路设计。宽泛的-55°C至175°C结温工作范围，配合PowerDI5060封装卓越的散热性能，赋予了它应对严苛环境挑战的资本。当您需要构建一个更高效、更紧凑、更可靠的功率系统时，这颗芯片所提供的不仅仅是参数，更是一种提升产品竞争力的确定性。我们推荐的DIODES代理渠道，能确保您快速获得这颗优质芯片及完善的技术支持，让您的创新之旅畅通无阻。

• 型号:DMTH10H009LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2309 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在寻找那颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？DMTH10H009LPS-13正是为您量身打造的解决方案。它是一款100V N沟道MOSFET，拥有低至8毫欧的导通电阻，能让您轻松驾驭高达100A的连续电流，显著降低导通损耗，提升整体能效。

这颗芯片采用先进的PowerDI5060封装，散热能力出众，确保在大功率应用中依然保持低温稳定运行。其优化的开关特性，让您的系统设计更高效，响应更迅速。无论是用于电源转换、电机驱动还是负载开关，它都能让您的产品性能脱颖而出，可靠性倍增。