DMT69M8LSS-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？让我们为您带来一个颠覆性的答案：DMT69M8LSS-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，正在重新定义中功率应用的效率标准。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

想象一下，在您的电机驱动、DC-DC转换器或负载开关中，一个器件需要同时承担高达9.8A的连续电流和60V的电压应力。DMT69M8LSS-13正是为此而生。其低至12毫欧的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动下实测，意味着在导通状态下的功率损耗被降至极低，更多的电能被高效地输送给负载，而非转化为无谓的热量。这直接转化为更长的设备运行时间、更小的散热器需求，甚至可能让您重新审视整个产品的热设计，实现更轻薄、更紧凑的工业设计。无论是自动化设备中的伺服驱动，还是通信设备里的电源模块，它都能游刃有余，确保系统在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定运行。

选择DMT69M8LSS-13，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与卓越性能的融合。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，开关损耗进一步降低，这对于高频开关应用至关重要，能显著提升整体电源系统的转换效率。表面贴装的8-SO封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也完全适配现代自动化生产线，大幅降低您的组装成本。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的设计和广泛的应用验证使其成为特定存量项目或对长期可靠性有极致要求场景的经典之选。为确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，他们不仅能提供正品保障，还能为您匹配最合适的备选或升级方案，让您的供应链高枕无忧。

归根结底，在激烈的市场竞争中，细节决定成败。一颗高效的MOSFET，可能就是您的产品在能效、体积和可靠性上脱颖而出的制胜法宝。DMT69M8LSS-13以其扎实的参数和久经考验的品质，静候您的调用，助力您的下一个设计迈向新的高度。

• 型号:DMT69M8LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 9.8A 8SO Tu0026R 2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.25W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154
• 想获取DMT69M8LSS-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能在紧凑空间内，以极高效率掌控近10A电流的“能量开关”？DMT69M8LSS-13 N沟道MOSFET就是您的理想选择。它专为高效电源转换和电机控制而优化，其超低的导通电阻能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片能为您轻松应对60V电压平台下的各种开关任务。其快速的开关特性和优异的栅极驱动性能，让您能够构建出响应更迅捷、效率更高的DC-DC电路或驱动模块。采用标准的表面贴装封装，它还能帮助您最大化节省PCB板空间，实现更精巧的产品设计。