DMN1019UFDE-7

您是否正在为下一代便携式设备寻找一颗既能提供强劲动力，又能极致节省空间的功率开关解决方案？想象一下，在您精心设计的超薄笔记本、高性能平板或紧凑型电源模块中，一颗微小的芯片正以高达11A的连续电流驱动着核心电路，而它的尺寸却仅有2.0mm x 2.0mm。这正是DMN1019UFDE-7为您带来的现实。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是工程师手中实现高密度、高效率设计的秘密武器。

这颗芯片的卓越性能，在各类移动计算和消费电子应用中展现得淋漓尽致。无论是笔记本电脑中负责CPU/GPU供电的负载点（POL）转换器，还是平板电脑和智能手机中的电池管理及电源路径开关，DMN1019UFDE-7都能凭借其仅10毫欧的超低导通电阻，将功率损耗降至最低，从而显著延长设备的续航时间。在空间极其宝贵的USB PD快充模块、移动电源以及各类便携式游戏设备中，其U-DFN2020-6E的超微型封装成为了实现极致紧凑设计的基石，让您的产品在竞品中脱颖而出，拥有更迷人的外观和更持久的耐力。

选择DMN1019UFDE-7，就是选择了一份可靠与高效的保障。它能在1.2V的低驱动电压下高效开启，完美适配现代低压微处理器和电源管理IC，简化您的驱动电路设计。高达150°C的结温工作范围，确保了其在严苛环境下的稳定运行，为产品可靠性加上了双重保险。当您需要将创新想法快速转化为市场领先的产品时，与可靠的DIODES中国代理合作，不仅能确保您获得原装正品的DMN1019UFDE-7，更能获得及时的技术支持和供应链保障，让您的产品开发之旅更加顺畅。这颗小小的芯片，承载的是提升终端产品竞争力、赢得用户口碑的巨大价值，现在就是将它融入您下一个明星产品的绝佳时机。

• 型号:DMN1019UFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:800mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.6 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2425 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:690mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
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还在为功率密度和效率的平衡而烦恼吗？让DMN1019UFDE-7来为您解决！这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，专为追求极致性能与迷你尺寸的应用而生。它能在仅2.0mm x 2.0mm的微型封装内，提供高达11A的连续电流处理能力，并凭借低至10毫欧的导通电阻，大幅降低开关损耗，直接提升您的系统整体能效。

无论是为便携设备的CPU供电，还是管理电池的充放电路径，DMN1019UFDE-7都能让您轻松应对。其1.2V的低阈值驱动电压，让它可以被主流低压控制器轻松驾驭，简化您的电路设计。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更确保了它在各种环境下都能稳定可靠地工作，是您打造高效、紧凑、可靠电源方案的理想核心。