DMT67M8LCGQ-13

想象一下，当您的下一代汽车电子系统需要同时应对高功率密度与严苛环境挑战时，什么样的功率开关器件能成为您最可靠的后盾？答案就藏在DMT67M8LCGQ-13这颗精心打造的N沟道MOSFET之中。它不仅通过了AEC-Q101车规级认证，更以60V的漏源电压和高达64.6A（Tc）的连续漏极电流能力，为您的设计注入了澎湃动力。在追求效率至上的今天，其低至5.7毫欧的导通电阻（@10V, 20A）意味着更少的能量损耗和更低的温升，让系统运行更冷静、更持久。

这颗芯片天生就是为应对复杂应用场景而生。无论是电动汽车的电机驱动、电池管理系统（BMS）中的负载开关，还是车载充电器（OBC）、DC-DC转换器，甚至是需要高可靠性开关的工业电源和服务器电源，DMT67M8LCGQ-13都能游刃有余。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）确保了从冰天雪地到炎热沙漠的极端环境下，性能依然稳定如初。搭配仅37.5nC的低栅极电荷，它能实现极快的开关速度，显著提升系统的整体频率响应和动态性能，让您的产品在竞争中快人一步。

选择DMT67M8LCGQ-13，您选择的不仅仅是一个组件，更是一套经过市场验证的高性能解决方案。它采用紧凑的8-DFN封装，在节省宝贵PCB空间的同时，凭借优异的散热设计（900mW Tc下的最大功耗）保障了长期运行的可靠性。对于寻求稳定供应链和卓越技术支持的工程师而言，通过值得信赖的DIODES芯片代理获取此产品，意味着您能获得从选型到量产的全周期服务。它将复杂的高效功率管理变得简单可靠，让您能更专注于系统创新与差异化设计，最终打造出更强大、更节能、更具市场吸引力的终端产品。

• 型号:DMT67M8LCGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），64.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2130 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取DMT67M8LCGQ-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能扛起高电流开关重任，同时保持极致高效与可靠性的车规级MOSFET吗？DMT67M8LCGQ-13正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达64.6A（Tc）的电流处理能力，其核心价值在于将卓越的性能封装于微小的尺寸内。

它能让您的电源转换或电机驱动系统运行得更“轻松”。得益于低至5.7毫欧的导通电阻，它能大幅降低导通损耗，提升整体能效，让设备更凉爽、更耐用。同时，其快速的开关特性（低栅极电荷）有助于提升系统响应速度，优化动态性能。

无论是用于汽车动力系统、工业电源还是通信设备，这颗通过AEC-Q101认证的芯片都能为您提供坚实的保障，让您的设计在高效与可靠之间找到完美平衡，轻松应对各种严苛挑战。