DMT64M2LPSW-13

想象一下，您的下一代电源设计，能否在更小的空间内承载更大的电流，同时将能量损耗降至最低？这正是DMT64M2LPSW-13为您带来的核心价值。这款来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其卓越的60V耐压和高达100A（Tc）的连续漏极电流能力，重新定义了高效功率转换的边界。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、实现产品小型化与高性能的得力引擎。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具中需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是汽车电子中关乎安全与稳定的辅助电源模块，DMT64M2LPSW-13都能游刃有余。其极低的导通电阻（仅4.4毫欧@50A, 10V）意味着在电流通过时产生的热量更少，直接转化为更高的系统效率和更长的运行寿命。在-55°C至150°C的宽广工作温度范围内，它都能保持稳定可靠的性能，让您的产品从容应对各种极端环境挑战。

选择DMT64M2LPSW-13，就是选择了一种经过市场验证的可靠性与前沿性能的平衡。它采用先进的表面贴装封装，易于集成到高密度PCB设计中，帮助您节省宝贵的板级空间。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快、驱动更轻松，显著降低了开关损耗，让整个系统的热管理变得更加简单高效。当您寻求一个能同时满足高性能、高可靠性和出色性价比的功率解决方案时，与专业的DIODES代理合作，获取DMT64M2LPSW-13及其完整的技术支持，无疑是通往成功产品的最优路径。

• 型号:DMT64M2LPSW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20.7A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2799 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），83.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为功率转换效率瓶颈而烦恼吗？让DMT64M2LPSW-13来为您破局！这颗强大的N沟道MOSFET，拥有60V的耐压和高达100A（Tc）的电流承载能力，核心使命就是让您的电源设计更高效、更紧凑。它极低的导通电阻能大幅减少导通损耗，而优化的开关特性则能有效降低开关损耗，双管齐下，显著提升系统整体能效。

它专为应对高电流、高频率的开关应用而优化。无论是进行同步整流，还是驱动电机，DMT64M2LPSW-13都能让您轻松实现快速、干净的开关动作，确保功率路径畅通无阻。其坚固的设计和宽广的工作温度范围，更能为您的产品提供从工业到消费电子等多场景的可靠保障，是您打造高性能、高竞争力电源系统的理想选择。