DMT616MLSS-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够同时驾驭高电压与大电流，却将导通电阻压至极低的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局。这正是DMT616MLSS-13带来的核心价值它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您实现高效、紧凑、可靠电源系统的得力引擎。

这颗芯片的强大性能，让它能够轻松应对从工业电机驱动、DC-DC转换器到各类电源开关的严苛挑战。其60V的漏源电压和10A的连续漏极电流，为您的设计提供了坚实的功率基础。而最令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的14毫欧，这意味着在开关过程中，能量以热的形式被浪费的部分被大幅削减，系统整体效率得到显著提升，发热量也随之降低，让您的产品运行更凉爽、更稳定。

无论是为无人机设计轻量化但动力澎湃的电调，还是为服务器打造高效节能的电源模块，DMT616MLSS-13都能完美融入。其快速的开关特性（栅极电荷仅13.6nC）确保了高频应用下的响应速度，而宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）则赋予了它无惧严寒酷暑的可靠品质。选择它，就是选择了一种更优的设计哲学：用更少的能量损耗，换取更强的输出性能。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，专业的DIODES代理商将是您坚实的后盾。

在选型时，工程师们常常在性能、尺寸和成本之间艰难权衡。而DMT616MLSS-13以其卓越的性价比，提供了一个近乎完美的平衡点。它采用紧凑的8-SO表面贴装封装，极大节省了宝贵的PCB空间，非常适合现代电子产品对高集成度的追求。更低的导通电阻直接转化为更高的效率和更小的散热需求，这不仅能简化您的散热设计，降低系统复杂度，更能最终提升终端产品的市场竞争力。让这颗来自Diodes Incorporated的精品MOSFET，成为您下一个爆款产品中那颗强劲而安静的心脏。

• 型号:DMT616MLSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:785 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.39W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOP
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMT616MLSS-13正是为您破解这一难题的关键。这颗N沟道MOSFET拥有60V/10A的强劲功率处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值14mΩ），能显著降低开关损耗，让您的电源模块、电机驱动或负载开关运行得更高效、更凉爽。

它采用先进的MOSFET技术，具备快速的开关速度和低栅极电荷，让您轻松实现高频高效的电路设计。同时，其宽工作温度范围和紧凑的8-SO封装，确保了在各种严苛环境下的可靠性与空间适应性。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。