DMT47M2LDVQ-13

想象一下，在您的下一个汽车电子或高密度电源设计中，如何将功率密度提升30%以上，同时确保系统在-55°C到150°C的严苛环境下依然稳定可靠？答案就藏在DMT47M2LDVQ-13这颗双N通道MOSFET阵列中。它不仅仅是一个组件，更是您实现高效能、小型化设计的秘密武器，专为应对现代电子设备对空间和性能的极致要求而生。

当您深入审视其参数，会发现真正的价值所在：高达40V的漏源电压和30.2A（Tc）的连续漏极电流能力，为负载开关、电机驱动和DC-DC转换器提供了充沛的动力储备。而低至10.8毫欧的导通电阻，意味着在20A的大电流下，功率损耗被显著降低，系统效率得以大幅提升，热量管理变得更加轻松。这颗采用先进PowerDI333封装的芯片，将两个高性能MOSFET集成在超紧凑的8引脚封装内，为您节省了宝贵的PCB空间，让设计更简洁，布局更灵活。

其应用场景广泛而深入，从新能源汽车的电池管理系统（BMS）、LED驱动，到工业自动化中的伺服控制，再到消费电子产品的快速充电模块，DMT47M2LDVQ-13都能游刃有余。它符合AEC-Q101车规级标准，历经严苛认证，确保了在振动、高温、高湿等恶劣汽车环境下的长久耐用性，这不仅是性能的保证，更是产品可靠性和品牌声誉的基石。选择它，就是为您的产品注入了来自Diodes Incorporated的汽车级品质基因。

那么，在纷繁复杂的元器件市场中，为何最终锁定这款芯片？因为它的价值超越了参数本身。极低的栅极电荷（仅14nC）和输入电容，带来了更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体能效比更出众。表面贴装的设计兼容自动化生产，能有效降低您的制造成本。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES芯片代理合作，您不仅能获得正品保障和稳定的供货支持，还能得到专业的技术选型建议，让您的产品从设计到量产一路畅通。选择DMT47M2LDVQ-13，就是选择了一个高效、可靠且面向未来的解决方案，它正静候您的调用，以释放您设计的全部潜能。

• 型号:DMT47M2LDVQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.9A（Ta），30.2A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:891pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.34W（Ta），14.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率，并能在紧凑空间内稳定工作的双MOSFET解决方案？DMT47M2LDVQ-13正是为此而来。这颗车规级（AEC-Q101）双N通道MOSFET阵列，拥有40V的耐压和高达30.2A的电流承载能力，其核心魅力在于低至10.8毫欧的导通电阻，能显著减少开关和传导损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerDI333封装，在极小的占位面积内集成了两个高性能晶体管，为您的高密度PCB设计释放宝贵空间。无论是用于汽车领域的负载开关、LED照明驱动，还是工业控制中的功率分配，它都能凭借优异的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保系统响应迅速且稳定可靠。选择它，让您的产品在性能和可靠性上即刻赢得优势。