DMN2028UFDH-7

在追求极致能效的汽车电子与工业控制领域，您是否还在为空间受限、散热挑战和系统可靠性而烦恼？现在，让我们向您隆重介绍一款能够彻底改变您设计思路的解决方案DMN2028UFDH-7。这款来自Diodes Incorporated的先进双N沟道MOSFET阵列，专为应对严苛应用环境而生，它将卓越的性能、微小的封装和汽车级的可靠性融为一体，为您带来前所未有的设计自由度和系统价值提升。

想象一下，在您的下一代汽车LED照明驱动模块中，得益于其仅20毫欧的超低导通电阻和高达6.8A的连续电流能力，系统损耗被大幅降低，效率显著提升，同时发热量得到完美控制。其逻辑电平门驱动特性，让您能够轻松兼容3.3V或5V的微控制器，简化了驱动电路设计。无论是用于电机控制中的H桥电路、电源管理中的负载开关，还是电池保护系统中的精密控制，DMN2028UFDH-7都能以其快速开关、低栅极电荷和出色的热性能，确保系统响应迅捷、运行稳定。其AEC-Q101汽车级认证，更是为您的产品在-55°C至150°C的极端温度范围内稳定工作提供了坚实保障，让您从容面对任何环境挑战。

选择DMN2028UFDH-7，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET。您选择的是更紧凑的PCB布局，得益于其微小的8-PowerVDFN封装；您选择的是更高的系统能效和更长的产品寿命；您选择的是符合汽车行业最高质量标准的安心与信赖。当您需要可靠、高效且极具性价比的半导体解决方案时，与专业的DIODES代理商合作，获取这款明星产品，无疑是加速您项目成功、赢得市场先机的明智之举。立即行动，让DMN2028UFDH-7成为您下一个爆款产品的核心动力！

• 型号:DMN2028UFDH-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3030-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:151pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3030-8
• 想获取DMN2028UFDH-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为复杂的双MOSFET电路布局和散热问题头疼吗？DMN2028UFDH-7为您提供了一站式的高效解决方案。这颗双N沟道MOSFET阵列，集成了两个逻辑电平驱动的MOSFET于一个微型的8-PowerVDFN封装内，让您轻松实现紧凑、高效的电路设计。

它拥有20V的耐压和6.8A的强大电流处理能力，结合低至20毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。其极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关速度，非常适合需要高频切换的汽车LED驱动、电机控制或负载开关应用。

更重要的是，它通过了严苛的AEC-Q101认证，具备从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，为您产品的可靠性和耐用性提供了汽车级的品质背书。选择DMN2028UFDH-7，就是选择让您的设计更简单、性能更强劲、产品更具竞争力。