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| DMT36M4LDT-7A的报价和技术资料 - DIODES公司授权中国代理商 |
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DMT36M4LDT-7A

DIODES图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：MOSFET BVDSS: 25V~30V V-DFN3030-
原厂封装：封装:V-DFN3030-8（K 类）
优势价格，DMT36M4LDT-7A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMT36M4LDT-7A的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 型号:DMT36M4LDT-7A
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:V-DFN3030-8（K 类）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET BVDSS: 25V~30V V-DFN3030-
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 个 N 沟道
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Ta），14.5A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.6 毫欧 @ 10A，10V，6.4 毫欧 @ 16A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16nC @ 10V，23.3nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1092pF @ 15V，1644pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1.04W（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:V-DFN3030-8（K 类）
  • 想获取DMT36M4LDT-7A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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