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ZXMHC3A01N8TC的图片

ZXMHC3A01N8TC

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
原厂封装:封装:8-SO
优势价格,ZXMHC3A01N8TC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ZXMHC3A01N8TC的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致紧凑与高效能的设计中,工程师们是否常常面临空间与性能的艰难抉择?现在,答案来了。我们隆重推出ZXMHC3A01N8TC,这颗集成了双N通道与双P通道MOSFET的H桥阵列芯片,正是为打破这一瓶颈而生。它在一个微小的8-SOIC封装内,构建了一个完整的驱动核心,将传统方案中分散的多个分立器件巧妙整合,不仅为您节省了高达70%的PCB空间,更通过优化的内部互联,显著降低了寄生参数,让您的系统响应更快、运行更稳。

想象一下,在那些需要精准双向控制的场景中,ZXMHC3A01N8TC正大放异彩。无论是便携设备中微型电机的正反转与调速,智能家居里百叶窗或阀门的静默开合,还是办公自动化设备中进纸机构的精准定位,它都能轻松胜任。其逻辑电平门控特性,意味着您可以直接用微控制器的GPIO口驱动,无需复杂的电平转换电路,大大简化了设计。30V的耐压与超过2A的持续电流能力,为各种低压直流驱动应用提供了充沛而可靠的动力保障,让您的产品动作果断,绝无拖沓。

选择ZXMHC3A01N8TC,就是选择了一种更优雅、更可靠的解决方案。其极低的导通电阻(最大125毫欧)意味着更小的导通损耗和发热,配合870mW的强大散热能力,确保芯片在连续工作中也能保持“冷静”。宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)让它无惧严苛环境挑战。这颗芯片的价值,不仅在于其本身的卓越参数,更在于它为您带来的整体系统优化更少的元件数量、更简化的布板、更高的可靠性以及更快的上市时间。当您需要稳定可靠的半导体解决方案时,专业的DIODES芯片代理将是您值得信赖的伙伴,为您提供从芯片到技术支持的全程服务。立即采用ZXMHC3A01N8TC,为您的下一个创新设计注入高效、紧凑的核心驱动力!

  • 型号:ZXMHC3A01N8TC
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:8-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N 和 2 P 沟道(全桥)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.17A,1.64A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):125 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):3.9nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):190pF @ 25V,204pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:870mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • 想获取ZXMHC3A01N8TC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为复杂的电机驱动电路烦恼吗?ZXMHC3A01N8TC为您提供一站式解决方案!这颗高度集成的H桥MOSFET阵列,内置2个N通道和2个P通道,能轻松实现电机的正转、反转、刹车与调速控制。您只需简单的逻辑电平信号,就能高效驾驭高达30V、2.17A的负载,让驱动设计变得前所未有的简单。

它采用紧凑的8-SOIC封装,却拥有强大的性能:逻辑电平门控让您直连MCU,125毫欧的低导通电阻大幅减少功率损耗,而高达870mW的功耗处理能力确保稳定运行。无论是智能小车、微型泵、自动窗帘还是各类精密仪器,ZXMHC3A01N8TC都能让您的产品动力部分更小巧、更高效、更可靠。

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