DMT34M1LPS-13

想象一下，您的下一个电源管理或电机驱动项目，能否在保持极致紧凑的同时，承载高达100A的澎湃电流？这正是DMT34M1LPS-13为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的高性能N沟道MOSFET，它不仅仅是一个开关，更是您系统实现高效、可靠与小型化设计的关键引擎。在30V的电压舞台上，它能以高达100A的连续漏极电流稳定运行，而其低至3.2毫欧的导通电阻，意味着更少的能量在开关过程中转化为热量，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升挑战。

这颗芯片的能量，正静待于各种激动人心的应用场景中释放。无论是需要快速响应和高功率密度的服务器电源、通信基站电源模块，还是对空间和效率都极为苛刻的电动工具、无人机电调，甚至是新能源汽车的辅助驱动单元，DMT34M1LPS-13都能游刃有余。其PowerDI5060-8封装专为高功率表面贴装而优化，让您在PCB布局上获得前所未有的自由度，轻松实现更小体积、更高功率密度的设计梦想。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在极端环境下依然稳定可靠，让您的产品无惧严苛考验。

选择DMT34M1LPS-13，就是选择了一种面向未来的设计自信。它卓越的电气参数例如仅需4.5V的低驱动电压即可获得优异的导通特性，以及优化的栅极电荷共同作用，显著降低了驱动电路的复杂度和功耗，让您的系统整体能效再上一个台阶。这意味着更长的电池续航、更低的运营成本，以及更出色的产品竞争力。当您寻求这样一颗能够平衡性能、尺寸与可靠性的强大MOSFET时，DIODES中国代理将是您值得信赖的伙伴，为您提供从技术选型到供应链支持的全方位服务。立即将DMT34M1LPS-13纳入您的设计，亲身体验它如何化繁为简，将强大的功率处理能力浓缩于方寸之间，驱动您的创新加速迈向成功。

• 型号:DMT34M1LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2242 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为高电流应用中的散热和空间问题烦恼吗？让DMT34M1LPS-13来为您轻松化解。这颗高性能N沟道MOSFET就像一个高效的“电子开关”，能在30V电压下稳健控制高达100A的电流，而其超低的3.2毫欧导通电阻，能大幅减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerDI5060-8表面贴装封装，不仅节省宝贵的电路板空间，更能简化您的生产流程。无论是用于电源转换、电机驱动还是负载开关，DMT34M1LPS-13都能凭借其快速的开关响应和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的设备在各种环境下都表现出稳定可靠的卓越性能。