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| DMT31M8LSSQ-13的报价和技术资料 - DIODES公司授权中国代理商 |
DMT31M8LSSQ-13的图片

DMT31M8LSSQ-13

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 Tu0026R 2
原厂封装：封装:8-SO
优势价格，DMT31M8LSSQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMT31M8LSSQ-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 型号:DMT31M8LSSQ-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:8-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 Tu0026R 2
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A (Ta), 87A (Tc)
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3153 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SO
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154
  • 想获取DMT31M8LSSQ-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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