DMN62D1LFD-13

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否正在寻找一颗能在60V电压下稳定工作、同时将空间占用和功耗降至最低的可靠开关？答案或许就藏在DMN62D1LFD-13这颗精巧的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、简化设计流程的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理系统或高密度电源模块中，空间是何等宝贵。DMN62D1LFD-13以其微型的3DFN封装，几乎不占用电路板面积，却能稳健地处理高达400mA的连续电流和60V的漏源电压。这意味着您可以在更小的空间内实现更强大的功能，让产品设计更加纤薄、轻巧。其低至1.8V的驱动电压门槛，让它能轻松兼容各类低电压逻辑控制电路，从微控制器直接驱动，无需复杂的电平转换，大大简化了您的系统设计。

这颗芯片的价值远不止于参数表。当它应用于负载开关、电源路径管理或信号切换时，其极低的导通电阻（典型值）意味着更少的能量以热量的形式浪费，直接转化为更长的电池续航和更低的系统温升。在-55°C到150°C的宽广结温范围内，它都能保持稳定性能，无论是面对严寒还是酷热的环境挑战，都能确保您的终端产品可靠运行。选择DMN62D1LFD-13，就是选择了一种高效、可靠且节省空间的解决方案。它让工程师能够将更多精力聚焦于核心创新，而非基础电路的可靠性担忧。为了确保您能获得稳定、正品的货源和及时的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，这不仅是品质的保证，更是项目顺利推进的坚实后盾。

归根结底，在元器件选型时，您需要的不是一个冰冷的零件编号，而是一个能切实解决问题、提升产品竞争力的伙伴。DMN62D1LFD-13正是这样一位伙伴。它将Diodes Incorporated领先的MOSFET技术，浓缩于方寸之间，以卓越的电气性能、出色的热管理和极致的封装效率，默默支撑着您产品的每一次高效开关与稳定运行。让它成为您下一个设计中的核心开关，共同开启高效、紧凑的新篇章。

• 型号:DMN62D1LFD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1212-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.55 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:36 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1212-3
• 封装/外壳:3-UDFN
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您是否希望为您的紧凑型设计找到一颗既强悍又小巧的“心脏”？DMN62D1LFD-13正是为此而生。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有60V的耐压和400mA的持续电流能力，却能轻松嵌入最微小的空间。它的低驱动电压让您可以直接用微控制器进行控制，极大地简化了电路设计。

更重要的是，它能让您的系统运行得更“冷静”、更高效。极低的导通损耗意味着更少的能量浪费和更长的电池寿命，而宽广的工作温度范围则确保了在各种严苛环境下的稳定表现。选择它，就是为您的便携设备、电源模块或电池管理应用选择了一个可靠、高效且节省空间的完美开关解决方案。