DMT3004LPS-13

想象一下，当您的电源管理系统需要在紧凑空间内处理高达140A的峰值电流时，传统方案是否让您陷入了散热与体积的两难境地？现在，让我们为您介绍一款重新定义功率密度的解决方案DMT3004LPS-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其仅3.8毫欧的超低导通电阻，在10V驱动电压下就能实现惊人的效率提升，让您的设计瞬间摆脱功耗束缚。

无论是服务器电源的同步整流，还是电动工具的高频开关，甚至是无人机动力系统的精密控制，这颗芯片都能游刃有余。其30V的漏源电压与21A的连续电流能力，配合PowerDI5060-8封装带来的卓越热性能，让高温环境下的稳定运行成为常态而非挑战。当您需要在高频开关应用中追求极致响应速度时，43.7nC的低栅极电荷显著降低了开关损耗，而2370pF的输入电容则确保了驱动电路的简洁高效。

选择DMT3004LPS-13的理由远不止参数本身。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，让您的产品能够从容应对极端环境；表面贴装设计则大幅简化了生产流程。更重要的是，当您通过正规的DIODES一级代理采购时，获得的不仅是原厂品质保证，还有从选型支持到库存保障的全方位服务。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、缩短上市周期的战略伙伴让每一次电流切换都转化为市场优势。

• 型号:DMT3004LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta），113W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在为功率器件的效率瓶颈而烦恼吗？DMT3004LPS-13将彻底改变您的体验。这颗N沟道MOSFET凭借3.8毫欧的超低导通电阻，让您轻松实现高达98%以上的转换效率，显著降低系统发热，同时其21A的连续电流承载能力确保了大功率应用的稳定运行。

更令人惊喜的是，它采用先进的PowerDI5060-8封装，在极小占位面积内提供了出色的散热性能，让您的设计既紧凑又高效。无论是同步整流、电机驱动还是负载开关，DMT3004LPS-13都能以卓越的开关特性（43.7nC低栅极电荷）和宽温度工作范围（-55°C~150°C），助您打造出更可靠、更具竞争力的电源解决方案。