DMT47M2SFVWQ-7

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案DMT47M2SFVWQ-7。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其仅为7.5毫欧的超低导通电阻，在10V驱动电压下轻松驾驭20A电流，瞬间将传导损耗降至新低，让您的电源转换效率和功率密度实现质的飞跃。这不仅仅是参数的提升，更是为您产品竞争力注入的强大动能。

想象一下，在严苛的汽车引擎盖下，或是紧凑的服务器电源模块中，空间和温度都是奢侈的。这正是DMT47M2SFVWQ-7大显身手的舞台。它隶属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列，工作结温高达150°C，无惧高温环境的挑战。其PowerDI3333-8封装在提供高达27.1W（Tc）散热能力的同时，保持了极小的占板面积，完美契合汽车ADAS系统、电机驱动、DC-DC转换器以及高密度计算设备中对可靠性、功率和空间的三重严苛要求。无论是应对瞬间大电流冲击，还是在持续高温下稳定运行，它都表现得游刃有余。

选择DMT47M2SFVWQ-7，就是选择了一份安心与卓越。其极低的栅极电荷（12.1nC @10V）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统频率可以更高，磁性元件可以更小。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保了从寒带到热带的全天候可靠性。当您需要稳定、高性能的半导体供应链支持时，我们的DIODES授权代理渠道将为您提供从样品到量产的全方位服务。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您打造下一代高效、紧凑、可靠电力系统的核心基石，立即采用，引领能效革命。

• 型号:DMT47M2SFVWQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.4A（Ta），49.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:897 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.67W（Ta），27.1W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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您正在寻找一颗能同时征服效率、尺寸和可靠性的功率开关吗？DMT47M2SFVWQ-7正是您的理想之选。这颗40V N沟道MOSFET拥有惊人的7.5毫欧超低导通电阻，能大幅降低传导损耗，让您的电源设计轻松实现更高的效率和更低的温升。

它采用先进的PowerDI3333-8封装，在极小空间内提供了卓越的散热性能（27.1W @Tc）。结合其汽车级（AEC-Q101）品质和宽达-55°C至150°C的工作结温，它能让您的汽车电子、工业电源或计算设备在面对严苛环境时依然稳定高效，助您轻松打造出更具市场竞争力的高性能产品。