DMT2004UPS-13

在追求极致效率的汽车电子与工业控制领域，您是否还在为如何平衡高电流承载与紧凑空间而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出DMT2004UPS-13，这颗专为严苛应用而生的N沟道功率MOSFET，将以其卓越的性能，重新定义您的电源与驱动方案。

想象一下，在您的下一代汽车电机驱动、电池管理系统或高密度DC-DC转换器中，一颗芯片需要同时应对高达80A的连续电流和24V的电压环境，同时还要将导通损耗降至最低。DMT2004UPS-13正是为此而生。它拥有低至5毫欧的导通电阻（Rds(on)），这意味着在相同的电流下，它能显著减少热量产生，提升整体系统效率，让能量更纯粹地用于驱动，而非浪费在发热上。其优化的栅极电荷（Qg）特性，确保了快速、干净的开关动作，这对于高频开关应用至关重要，能有效降低开关损耗，提升响应速度。

从-55°C到150°C的宽广结温工作范围，配合AEC-Q101车规级认证，赋予了它无与伦比的可靠性与环境适应性。无论是引擎舱内的高温炙烤，还是寒带地区的冰冷启动，它都能稳定如一，为您的产品保驾护航。其采用的先进PowerDI5060-8封装，不仅提供了出色的散热性能，还极大地节省了宝贵的PCB空间，让您的设计更加紧凑、优雅。当您选择与可靠的DIODES代理合作，您获得的不仅仅是一颗高性能芯片，更是一整套从选型支持到供应链保障的完整解决方案。

因此，当您在设计需要高可靠性、高效率和高功率密度的应用时，选择DMT2004UPS-13就是选择了一份安心与卓越。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的强大引擎。让它成为您下一个成功项目的核心动力，共同开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:DMT2004UPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 80A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.45V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1683 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 想获取DMT2004UPS-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的“心脏”吗？DMT2004UPS-13正是您理想的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，专为汽车级和高效能应用量身打造，它能轻松承载高达80A的连续电流，并以低至5毫欧的导通电阻，显著降低系统功耗与发热，让您的电源管理或电机驱动方案效能倍增。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在提供强大散热能力的同时，极大节省电路板空间。配合其优异的开关特性与宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），DMT2004UPS-13让您能够从容应对汽车电子、工业控制等领域的严苛挑战，轻松构建更可靠、更紧凑、更高效的系统。