DMTH3004LK3-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭高达75A峰值电流与低至4毫欧导通电阻的功率开关，将如何彻底改变您的产品性能格局？这正是DMTH3004LK3-13为您带来的震撼体验。作为Diodes Incorporated精心打造的高性能N沟道MOSFET，它不仅仅是一个组件，更是您提升系统效率、赢得市场竞争力的关键引擎。

无论是需要强劲动力输出的电机驱动，还是对效率锱铢必较的DC-DC同步整流转换器，或是空间受限的便携式设备中的负载开关，DMTH3004LK3-13都能游刃有余。其30V的漏源电压与高达21A（环境温度）/75A（壳温）的连续电流能力，确保了在严苛工况下的稳定与可靠。当您的设计面临高温挑战时，它宽广的-55°C至175°C结温工作范围，提供了坚实的保障，让产品无惧环境考验，持续稳定运行。

选择DMTH3004LK3-13，就是选择了一种更智慧、更高效的解决方案。其卓越的4毫欧超低导通电阻（在20A，10V条件下），直接意味着更低的传导损耗和更少的发热量，这不仅提升了整体能效，也简化了散热设计，让您的产品更轻薄、更安静。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速的开关速度，进一步降低了开关损耗，特别适合高频应用。对于寻求可靠供应链与技术支持的设计师而言，通过正规的DIODES代理商进行采购，您获得的将不仅是这颗性能卓越的芯片，更是从选型到量产的全流程品质保证与专业服务。让DMTH3004LK3-13成为您下一个爆款产品的“心脏”，驱动无限可能。

• 型号:DMTH3004LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找那颗能兼顾大电流与高效率的“全能型”功率开关吗？DMTH3004LK3-13正是为您而来的答案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达75A（Tc）的惊人电流处理能力，其核心魅力在于仅4毫欧的超低导通电阻，能显著降低功率损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动方案效率飙升，运行更凉爽。

它采用紧凑的TO-252表面贴装封装，易于焊接并节省板空间。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）确保其在各种恶劣环境下稳定工作。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，DMTH3004LK3-13都能让您轻松实现高效、可靠的系统设计，是提升产品竞争力的理想选择。