DMT10H017LPD-13

想象一下，在您的下一代汽车电子或工业电源设计中，如何将功率密度提升到新的高度，同时确保系统在严苛环境下的绝对可靠？答案就蕴藏在DMT10H017LPD-13这颗卓越的双N沟道MOSFET阵列中。它不仅仅是一个半导体元件，更是您实现高效能、高可靠性设计的强大引擎。凭借高达100V的漏源电压和54.7A的连续漏极电流能力，它为您的功率转换路径提供了坚实的保障，让能量流动更顺畅，系统运行更稳定。

无论是面对新能源汽车中日益复杂的DC-DC转换器、电机驱动单元，还是工业自动化设备里要求严苛的电源管理和负载开关应用，这颗芯片都能游刃有余。其低至17.4毫欧的导通电阻，意味着在传导过程中产生的热量损耗被大幅降低，直接提升了整机效率，让您的产品在能效比拼中脱颖而出。而高达78W的功率处理能力，配合紧凑的PowerTDFN封装，完美解决了空间有限与散热需求之间的矛盾，让您在小型化设计的道路上走得更远、更稳。

选择DMT10H017LPD-13，就是选择了一份来自Diodes Incorporated的、经过AEC-Q101车规级认证的品质承诺。它能在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，从容应对极端温度挑战，确保您的产品生命周期更长，故障率更低。这背后，离不开优质供应链的支持，通过与值得信赖的DIODES一级代理合作，您不仅能获得正品保障和稳定的供货，还能得到专业的技术支持，让您的产品从设计到量产全程无忧。现在，就让它成为您设计中那颗最可靠、最高效的“心脏”，驱动创新，赢在未来。

• 型号:DMT10H017LPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54.7A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17.4 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1986pF @ 50V
• 功率 - 最大值:2.2W（Ta），78W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
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还在为寻找一颗既能承受高压大电流，又具备极低导通损耗的功率开关而烦恼吗？DMT10H017LPD-13正是为您而来的解决方案。这颗双N沟道MOSFET阵列，拥有100V的耐压和超过54A的电流处理能力，核心优势在于其仅为17.4毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关和传导损耗，直接提升您的电源转换效率，让系统运行更凉爽、更节能。

它采用先进的PowerTDFN封装，在提供高达78W散热能力的同时，保持了极小的占板面积，完美适配空间紧凑的现代电子设计。无论是用于汽车电子的电机驱动、LED照明，还是工业电源的同步整流、负载切换，它都能让您轻松实现高功率密度与高可靠性的双重目标，简化您的设计挑战，加速产品上市进程。