2N7002VAC-7

在追求极致紧凑与高效能的设计中，您是否曾为寻找一颗既能节省宝贵空间，又能稳定驱动关键信号的“双通道”开关而烦恼？今天，我们为您带来一个完美的解决方案2N7002VAC-7。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道双MOSFET，以其微型SOT-563封装和出色的电气性能，正在重新定义小型化电子设计的可能性。它不仅仅是一个组件，更是您实现产品创新与性能飞跃的得力助手。

想象一下，在您的手持设备、可穿戴产品或是高密度电路板中，每一平方毫米都至关重要。2N7002VAC-7以其超小的体积，让您能够轻松实现双路信号切换、负载驱动或电平转换，而无需占用过多PCB面积。其高达60V的漏源电压和280mA的连续漏极电流，确保了在各类低压至中压应用中的稳定性和可靠性。无论是用于电源管理模块中的负载开关，还是数据线路上的信号隔离，它都能以极低的导通电阻（典型值仅7.5欧姆@5V）和快速的开关响应，让您的系统运行更加流畅高效，有效降低功耗与热量产生。

选择2N7002VAC-7，就是选择了一份从容与保障。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）意味着它能从容应对严苛的环境挑战，从消费电子到工业控制，都能游刃有余。双通道的集成设计不仅简化了您的物料清单（BOM），更减少了外围元件数量，从而提升了整体系统的可靠性并降低了综合成本。当您需要稳定可靠的供应与技术支持时，专业的DIODES芯片代理将是您坚实的后盾，确保您能随时获得这颗高性能芯片，并获取专业的选型与应用指导。让2N7002VAC-7成为您下一个爆款产品中不可或缺的“智能开关”，开启高效、紧凑设计的新篇章。

• 型号:2N7002VAC-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:150mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
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还在为电路板空间紧张而发愁吗？2N7002VAC-7正是为您量身打造的解决方案！这颗双N沟道MOSFET将两个高性能开关集成在微小的SOT-563封装内，让您轻松实现双路信号控制或负载驱动，瞬间释放宝贵的PCB空间。

它拥有60V的耐压和280mA的驱动能力，结合低至2.5V的开启阈值和优异的开关特性，能让您的设计在高效能与低功耗之间取得完美平衡。无论是用于便携设备的电源路径管理，还是通信接口的电平转换，它都能确保稳定、快速的响应，让您的产品运行更流畅、更可靠。