DMNH10H028SCT

在追求极致效率的电力电子世界，您是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？想象一下，一款能够在100V电压下稳定承载60A电流的功率开关，其导通电阻低至惊人的28毫欧，这意味着在20A的典型工作电流下，每通过1安培电流，仅产生0.028瓦的导通损耗。这正是DMNH10H028SCT为您带来的核心价值它将卓越的电气性能封装在经典的TO-220AB封装内，直接转化为更低的系统温升、更高的整体能效和更长的设备寿命。

无论是新能源汽车的电机驱动、车载DC-DC转换器，还是工业电源、电机控制等严苛环境，这颗通过AEC-Q101车规认证的N沟道MOSFET都是可靠的心脏。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温）确保了从冰天雪地到引擎舱高温下的稳定运行。极低的栅极电荷（仅31.9nC）和输入电容，意味着它能够被快速驱动，实现更高的开关频率，从而让您的电源设计可以使用更小、更轻的磁性元件，显著优化系统体积与成本。当您需要构建高效、紧凑且可靠的功率转换方案时，它无疑是值得信赖的基石。

选择DMNH10H028SCT，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计哲学。它平衡了电压、电流、导通电阻与开关特性的黄金比例，让工程师在追求功率密度的同时，无需在可靠性和热管理上做出妥协。其通孔安装方式提供了坚固的机械连接和出色的散热路径，简化了生产与维修。为了确保您获得原装正品与全面的技术支持，我们推荐您通过官方DIODES授权代理进行采购。让这颗凝聚尖端技术的功率器件，成为您下一个明星产品在市场中脱颖而出的关键动力，开启能效革命的新篇章。

• 型号:DMNH10H028SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1942 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取DMNH10H028SCT的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能扛起高功率重任，同时保持冷静与高效的核心开关吗？DMNH10H028SCT正是为此而生。这颗100V/60A的N沟道MOSFET，凭借低至28毫欧的导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽，能效显著提升。

它专为汽车和工业级应用打造，通过AEC-Q101认证，确保在极端温度下依然稳定可靠。其优化的栅极电荷特性让开关更迅速、更干净，帮助您轻松实现更高频率的电源设计，从而缩小整体方案尺寸，降低成本。选择它，就是为您的功率路径注入一股强劲而高效的电流。