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DMPH4015SSSQ-13的图片

DMPH4015SSSQ-13

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,DMPH4015SSSQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMPH4015SSSQ-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效与可靠性的汽车电子设计中,您是否曾为寻找一款能在严苛环境下稳定工作、同时兼顾高功率密度与低损耗的功率开关而困扰?今天,我们为您带来的DMPH4015SSSQ-13,正是为破解这一难题而生。这款来自Diodes Incorporated的P通道MOSFET,以其卓越的40V耐压和高达11.4A的连续漏极电流能力,重新定义了紧凑型功率器件的性能标杆。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升系统效率、确保长期稳定运行的可靠伙伴。

想象一下,在您的下一代汽车应用无论是车身控制模块中的负载开关、LED照明驱动,还是电池管理系统中的保护电路DMPH4015SSSQ-13都能大显身手。它专为满足AEC-Q101汽车级标准而设计,从容应对-55°C至175°C的极端结温范围,确保从冰天雪地到酷热引擎舱内都能稳定如一。其极低的导通电阻(典型值仅11毫欧@10V)意味着更少的能量以热量的形式被浪费,直接转化为更长的续航、更低的系统温升和更高的整体能效。当您需要高效、可靠地控制功率路径时,这颗芯片就是您信心的来源。

选择DMPH4015SSSQ-13,意味着您选择了一种经过验证的可靠性。其优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,使得开关过程快速而平滑,显著降低了开关损耗和驱动电路的负担,让您的设计在追求高频高效的同时,依然保持简洁。采用表面贴装的8-SO封装,在提供强大功率处理能力的同时,最大限度地节省了宝贵的PCB空间,非常适合空间受限的现代汽车电子模块。为了确保您能获得原厂品质与及时的技术支持,我们强烈建议您通过官方DIODES授权代理进行采购。这不仅是获得正品保障的捷径,更是为您的项目成功增添了一份可靠的后盾。让DMPH4015SSSQ-13成为您设计中那颗高效、坚韧的“心脏”,驱动创新,赢在未来。

  • 型号:DMPH4015SSSQ-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):11 毫欧 @ 9.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):91 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4234 pF @ 20 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.8W
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154
  • 想获取DMPH4015SSSQ-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为汽车电子系统中的功率开关选型犹豫不决吗?DMPH4015SSSQ-13这颗AEC-Q101认证的P通道MOSFET,就是为您的高要求应用量身打造的解决方案。它能轻松驾驭高达40V的电压和11.4A的连续电流,凭借低至11毫欧的导通电阻,显著降低导通损耗,让您的系统运行更凉爽、能效更高。

这颗芯片的卓越之处在于其宽广的工作温度范围(-55°C至175°C)和优化的动态特性。较低的栅极电荷和输入电容让开关动作迅速而高效,大大减轻了驱动电路的压力,使您能够设计出更简洁、更可靠的电源管理或负载开关电路。选择它,就是为您的产品选择了经得起时间考验的稳健性能与卓越品质。

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