DMC2990UDJQ-7B

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的下一个智能穿戴或便携医疗设备，是否还在为空间与性能的平衡而困扰？想象一下，一颗集成了N沟道和P沟道MOSFET的芯片，以SOT-963的微型封装，却能轻松驾驭20V电压和高达150°C的结温，这不仅仅是技术的进步，更是设计自由度的飞跃。这正是DMC2990UDJQ-7B为您带来的核心价值它将双路互补MOSFET阵列的精髓，浓缩于方寸之间，让您的产品在激烈的市场竞争中，率先实现小型化与高可靠性的完美统一。

这颗芯片天生为空间敏感且要求严苛的应用场景而生。无论是需要精密电源管理的TWS耳机、智能手表，还是对信号切换与负载驱动有高要求的便携式医疗监测设备，DMC2990UDJQ-7B都能游刃有余。其N沟道与P沟道互补的设计，为您简化了电路板布局，减少了外围元件数量，直接降低了整体BOM成本和PCB面积。更令人振奋的是，它隶属于Automotive, AEC-Q101产品系列，这意味着它已经通过了汽车级的可靠性认证，其稳定性和耐久性足以应对从消费电子到车载辅助系统等各种环境的挑战，为您的产品品质提供了坚如磐石的背书。

选择DMC2990UDJQ-7B，就是选择了一种高效可靠的设计策略。它极低的导通电阻（最低仅990毫欧）和栅极电荷（低至0.5nC），显著降低了开关损耗和驱动功耗，直接提升了终端设备的续航能力。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了设备在极端环境下依然稳定运行。当您致力于打造领先市场的高性能产品时，这样一颗兼具高集成度、卓越电气性能和卓越可靠性的芯片，无疑是您电路设计中不可或缺的核心元件。我们作为专业的DIODES一级代理，不仅能确保您稳定获取这款优质芯片，更能提供全面的技术支持，助您将DMC2990UDJQ-7B的潜力转化为产品的最终胜势。

• 型号:DMC2990UDJQ-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-963
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):450mA（Ta），310mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V
• 功率 - 最大值:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-963
• 供应商器件封装:SOT-963
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您是否正在寻找一颗能大幅节省电路板空间，同时提供稳定高效开关性能的解决方案？DMC2990UDJQ-7B正是您的理想之选。这颗来自Diodes Incorporated的汽车级（AEC-Q101）互补MOSFET阵列，将N沟道和P沟道MOSFET集成于微型的SOT-963封装内，让您轻松实现紧凑型设计。

它能为您做什么？它让您高效地管理电源路径和信号切换。凭借20V的漏源电压、低至990毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，它能显著减少功率损耗，提升系统效率。其宽广的-55°C至150°C工作温度范围，确保了在各种严苛环境下的可靠运行。无论是驱动小型负载还是进行精密逻辑控制，DMC2990UDJQ-7B都能以卓越的性能，成为您便携式设备、汽车电子或IoT应用的强大心脏。