DMPH4013SK3Q-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为高损耗和散热难题所困扰？想象一下，一颗能够承载55A强大电流，同时将导通电阻压至仅15毫欧的P沟道MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。这正是DMPH4013SK3Q-13为您带来的核心价值它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

这颗来自Diodes Incorporated的汽车级功率器件，天生为严苛应用而生。其高达40V的漏源电压和55A的连续漏极电流能力，让它轻松驾驭从电机驱动、负载开关到DC-DC转换器中的高端开关等各种高电流场景。无论是新能源汽车的电池管理系统、工业自动化中的伺服控制，还是消费电子中需要快速响应的电源路径管理，DMPH4013SK3Q-13都能以极低的导通损耗，将更多电能转化为有效功，显著减少热量产生，让您的系统运行更凉爽、更持久、更可靠。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，更是确保了在极端环境下依然稳定如一。

选择DMPH4013SK3Q-13，就是选择了一份经过AEC-Q101认证的安心。它意味着您的产品从设计之初就具备了进军汽车电子等高可靠性市场的通行证。其优化的栅极电荷（Qg仅67nC）和输入电容，使得开关速度更快，驱动更轻松，直接助力于提升系统的整体频率响应和效率。采用TO-252（D-Pak）封装，在提供卓越散热性能的同时，也兼顾了PCB布局的便利性与空间节省。当您寻求稳定可靠的供应链与技术支持时，通过官方授权的DIODES代理进行采购，无疑是保障项目顺利推进、获取正品与原厂支持的最明智选择。让这颗高效、强健的P沟道MOSFET，成为您下一个成功产品的坚实基石。

• 型号:DMPH4013SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 55A TO252 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:67 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4004 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为电源路径中的效率瓶颈和散热挑战寻找解决方案吗？DMPH4013SK3Q-13正是您期待的答案。这颗40V、55A的P沟道MOSFET，凭借低至15毫欧的导通电阻，能大幅降低开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽，直接将电能更有效地输送到负载端。

它专为高要求应用设计，轻松胜任电机驱动、负载开关和DC-DC转换等任务。其汽车级（AEC-Q101）认证确保了卓越的可靠性，宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）则让它无惧严苛环境。选择它，就是为您的产品选择了高性能与高可靠性的双重保障。