1N5230B-T

在追求极致稳定性的电路设计中，您是否曾为电压波动带来的不确定性而烦恼？当系统需要一个可靠的电压基准或保护机制时，1N5230B-T就是您值得信赖的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的经典齐纳二极管，以其精准的4.7V稳压值和±5%的严格容差，为您的设计注入一剂强心针，确保关键节点的电压坚如磐石，让性能表现始终如一。

它的身影活跃在众多应用场景的核心地带。无论是为微控制器提供稳定的参考电压，还是在电源输出端担任过压保护的忠诚卫士，亦或是在模拟电路中作为简单的电压钳位元件，1N5230B-T都能轻松胜任。其高达500mW的功率处理能力和宽达-65°C至200°C的工作温度范围，意味着它既能应对日常的电气应力，也能在严苛的工业环境中稳定运行，从消费电子到工业控制，它的可靠性经过了时间的验证。

选择1N5230B-T，就是选择了一份经过市场检验的成熟与安心。经典的DO-35轴向封装使其兼容性极佳，便于在各类PCB板上进行通孔安装。虽然该型号已标注停产，但通过可靠的DIODES代理渠道，您依然可以获得稳定库存，用于维护现有产品线或完成特定设计。它不仅仅是一个元件，更是一个能有效降低系统设计风险、提升整体稳定性的价值之选。让这颗久经考验的齐纳二极管，成为您打造坚固、可靠电子产品的秘密武器。

• 型号:1N5230B-T
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DO-35
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):4.7 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:500 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):19 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 2 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
• 工作温度:-65°C ~ 200°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:DO-35
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还在寻找一个能精准锚定电压的可靠伙伴吗？1N5230B-T齐纳二极管正是为您而来。它核心的任务，就是在电路中提供一个稳定、精确的4.7V基准电压，无论输入如何变化或负载怎样波动，它都能牢牢地将电压“钳制”在设定值，有效防止后续精密器件因过压而受损。

这颗芯片能让您的设计事半功倍。它拥有±5%的高精度和仅19欧姆的低动态阻抗，确保电压基准既准确又稳定。其500mW的功率容量和宽广的-65°C至200°C工作温度范围，让您能够轻松应对各种应用环境下的挑战。无论是用于电源稳压、信号钳位还是作为电压参考，1N5230B-T都能以高效、可靠的方式，守护您电路的平稳运行。