DMP57D5UV-7

当您的设计需要在紧凑空间内实现高效的双路开关控制时，您是否曾为寻找一颗性能可靠、体积小巧的解决方案而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出DMP57D5UV-7，这颗来自Diodes Incorporated的双P沟道MOSFET阵列，正是为应对现代电子设备的高密度集成挑战而生。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品可靠性、简化电路布局、赢得市场竞争力的秘密武器。

想象一下，在便携式医疗设备、智能穿戴装置或超薄消费电子的核心板上，每一平方毫米都弥足珍贵。DMP57D5UV-7采用的超小型SOT-563封装，让双路MOSFET集成于方寸之间，为您释放宝贵的PCB空间，让设计更加游刃有余。其逻辑电平门控特性，意味着它能与微控制器等低压逻辑电路无缝对接，直接驱动，省去繁琐的电平转换电路，不仅降低了系统复杂度，更显著提升了整体能效和响应速度。高达50V的漏源电压和160mA的连续漏极电流能力，为信号切换、负载开关等关键任务提供了坚实保障，确保您的产品在从-55°C到150°C的严苛温度范围内稳定运行。

选择DMP57D5UV-7，就是选择了一种经过市场验证的可靠性与极致空间利用率的完美结合。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的设计和广泛的适用性，使其成为特定存量项目升级或寻求高性价比、高可靠性替代方案的工程师们的明智之选。通过专业的DIODES中国代理，您依然可以获取这颗经典芯片，确保供应链的稳定与技术支持的专业性。它不仅仅解决了当下的电路难题，更以其低导通电阻和快速开关特性，为您的产品注入了高效、持久的生命力。让DMP57D5UV-7成为您精巧设计中不可或缺的“双核”动力，助力您的创意从容落地，在激烈的市场竞争中脱颖而出。

• 型号:DMP57D5UV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:50V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:29pF @ 25V
• 功率 - 最大值:400mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
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在追求极致紧凑与高效能的设计中，您是否渴望一颗能同时掌控两路信号、且易于驱动的“微型开关大师”？DMP57D5UV-7正是为您而来。这颗双P沟道MOSFET阵列，集成了两个逻辑电平门控的MOSFET，让您仅用极低的控制电压（Vgs(th)最大仅1V）就能轻松驱动，完美适配现代低压微处理器系统，省去中间电路，设计更简洁。

它能在高达50V的电压下稳定工作，提供每路160mA的连续电流能力，并以低至6欧姆的导通电阻确保高效的电能传输，将损耗降至最低。其超小的SOT-563封装，为您在密集的PCB布局中节省出宝贵空间。无论是用于便携设备的电源管理、信号路径切换，还是需要双路精密控制的各类应用，DMP57D5UV-7都能让您以更小的体积和更高的可靠性，实现更强大的功能。