DMP3056LDM-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗仅SOT-26封装的器件，却能以高达4.3A的连续电流和低至45毫欧的导通电阻稳定工作，这不仅仅是参数的提升，更是系统设计自由度的一次解放。这正是DMP3056LDM-7 P沟道MOSFET为您带来的核心价值在紧凑的物理尺寸内，注入强大的电气性能。

无论是需要高效负载开关的便携式设备，还是对空间极其敏感的IoT模块，或是高密度板卡上的电源路径管理，DMP3056LDM-7都能游刃有余。其30V的漏源电压和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了从消费电子到工业控制等多种场景下的可靠性与适应性。当您需要快速、干净地切断或连接电源轨时，其优化的栅极电荷（仅21.1nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接转化为更长的电池续航和更低的系统温升。

选择DMP3056LDM-7，就是选择了一种经过深思熟虑的平衡艺术。它不仅在性能上毫不妥协4.5V的低驱动电压使其易于被微控制器直接驱动，简化了电路设计；更在可靠性上树立标杆。其源自Diodes Incorporated的卓越品质，确保了每一颗器件都具备一致的优异表现。为了让您的设计之旅更加顺畅，通过值得信赖的DIODES一级代理获取此料号，您不仅能获得正品保障和稳定的供货支持，还能获得深度的技术资源，确保这颗高性能MOSFET的潜力在您的产品中得到百分百释放。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、实现设计愿景的关键拼图。

• 型号:DMP3056LDM-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:948 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.25W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
• 想获取DMP3056LDM-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一款既小巧又强力的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP3056LDM-7就是您的理想答案。这颗采用先进MOSFET技术的器件，拥有30V耐压和4.3A的连续电流能力，却能轻松嵌入微小的SOT-26封装内，让您在高密度设计中游刃有余。

它的核心魅力在于极高的效率。仅45毫欧的低导通电阻，能显著降低功率损耗和发热，而低至2.1V的阈值电压和优化的栅极电荷，让您能用更简单的驱动电路实现快速、高效的开关控制。无论是用于电池供电设备的负载开关，还是电源管理单元的功率路径控制，它都能让您的系统运行得更凉爽、更持久。

从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的底气。选择DMP3056LDM-7，就是为您的产品选择了一份兼具高性能、高可靠性和高空间利用率的卓越解决方案，助您轻松打造出更具市场竞争力的终端设备。