ZVN4106FTC

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界，您是否还在为寻找一款能够在小空间内稳定驱动负载、同时保持出色性价比的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案ZVN4106FTC。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其精巧的SOT-23-3封装和高达60V的耐压能力，重新定义了小型化应用的性能边界，让您的设计在功率与空间之间找到完美平衡。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理系统或精密传感器模块中，ZVN4106FTC能够轻松胜任负载开关、信号切换或低功率电机驱动的核心角色。它仅需5V的驱动电压即可实现低导通电阻，这意味着更低的驱动功耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效和可靠性。其高达200mA的连续漏极电流和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，确保了从消费电子到工业控制的各种严苛环境下，都能提供稳定如一的表现。

选择ZVN4106FTC，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与极致的性价比。它完美继承了Diodes产品一贯的高品质基因，在有限的PCB面积上释放出强大的开关性能。无论是升级现有产品还是开发新一代紧凑型设备，它都能帮助您简化设计、降低成本并加速产品上市。如需获取稳定的供货与专业的技术支持，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您服务，确保这颗小巧但强大的芯片能顺利集成到您的下一个成功设计中。

• 型号:ZVN4106FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:35 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取ZVN4106FTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路板上的空间捉襟见肘而发愁吗？ZVN4106FTC正是为您解忧的利器。这颗小巧的N沟道MOSFET，采用SOT-23-3封装，却能轻松驾驭高达60V的电压和200mA的电流，让您在寸土寸金的PCB上实现高效、可靠的功率开关与控制功能。

它专为低电压驱动优化，仅需5V栅极电压即可实现优异的导通性能，极大简化了您的驱动电路设计。无论是用于便携设备的电源管理、信号路径切换，还是作为传感器或LED的驱动开关，ZVN4106FTC都能让您的系统运行更高效、更稳定，助您轻松打造出更具竞争力的产品。