DMP3025LK3-13-01

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否还在为寻找一颗性能卓越、稳定耐用的P沟道MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐DMP3025LK3-13-01，这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，以其高达30V的漏源电压和16.1A（Ta）的连续漏极电流，为您的高负载应用场景注入澎湃而稳定的动力。它不仅是一颗MOSFET，更是您提升产品性能、确保系统长期稳定运行的信心之选。

想象一下，在您的电源管理模块、电机驱动电路或是负载开关设计中，DMP3025LK3-13-01能够轻松驾驭各种严苛任务。其TO252封装形式，兼顾了优异的散热性能与紧凑的PCB布局需求，让您的设计在有限空间内也能实现高效的能量转换与控制。无论是工业自动化设备中需要频繁启停的电机，还是消费电子产品里对功耗极其敏感的电池保护电路，这颗芯片都能以其低导通电阻和快速开关特性，显著降低能量损耗，提升整体系统效率，让您的终端产品在市场上更具竞争力。

选择DMP3025LK3-13-01，意味着您选择了一份经过市场验证的卓越品质。Diodes Incorporated作为全球知名的半导体制造商，其产品以高可靠性和一致性著称。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的工艺和广泛的应用验证，使其成为特定存量项目或对长期稳定性有极高要求场景下的经典之选。更重要的是，通过我们专业的DIODES一级代理，您不仅能获得原厂品质保证的芯片，还能享受到我们提供的全方位技术支持、可靠的供应链服务以及具有竞争力的价格，确保您的项目从研发到量产全程无忧。让我们携手，用这颗强大的P沟道MOSFET，为您的创新设计保驾护航，共同开启高效、可靠的电能控制新篇章。

• 型号:DMP3025LK3-13-01
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 10.6A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1678 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.15W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为复杂的电源开关设计而头疼吗？让DMP3025LK3-13-01来为您简化一切！这颗P沟道MOSFET是您实现高效能量控制的得力助手。它能轻松处理高达30V的电压和16.1A的连续电流，让您的电源管理、电机驱动或负载开关电路运行得更稳定、更节能。

采用紧凑的TO252表面贴装封装，它不仅节省您宝贵的PCB空间，其优异的散热性能更能确保在-55°C至150°C的宽温范围内持续可靠工作。选择它，就是选择了一份让设计更高效、让产品更耐用的安心保障。