DMP21D5UFB4-7B

在追求极致紧凑与高效能的设计中，您是否正在寻找一颗能够完美平衡性能与尺寸的P沟道MOSFET？答案就在DMP21D5UFB4-7B。这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，以其微小的X2-DFN1006-3封装，蕴含着高达20V的耐压与700mA的连续电流能力，专为空间受限但要求严苛的现代电子设备而生。它不仅仅是一个开关，更是您实现产品小型化、提升能效的得力助手。

想象一下，在您的手持设备、可穿戴产品或是IoT模块中，DMP21D5UFB4-7B正悄然发挥着关键作用。它极低的导通电阻（最大970毫欧@5V）意味着更少的能量在开关过程中转化为热量，直接延长了电池的续航时间。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了无论是严寒还是酷热的环境，您的设备都能稳定可靠地运行。从电源管理、负载开关到信号切换，这颗芯片都能轻松胜任，让您的设计游刃有余。

选择DMP21D5UFB4-7B，就是选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。Diodes Incorporated的品质背书，加上其优化的驱动特性（低至1.2V的驱动电压）和快速的开关性能，能显著简化您的电路设计，降低整体BOM成本。当您需要稳定、高质量的货源时，通过正规的DIODES授权代理进行采购，是保障项目顺利推进和产品长期可靠性的明智之选。让这颗高效能的P沟道MOSFET，成为您下一个爆款产品中不可或缺的“能量心脏”。

• 型号:DMP21D5UFB4-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):700mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:970 毫欧 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:46.1 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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还在为空间紧张的设计寻找一颗高效、可靠的电源开关吗？DMP21D5UFB4-7B正是为您而来。这颗P沟道MOSFET采用超紧凑的3DFN封装，却拥有20V的耐压和700mA的持续电流能力，让您能在寸土寸金的PCB上轻松实现高效的负载管理与电源切换。

它具备优异的电气特性，极低的导通电阻和栅极电荷，意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，能显著提升您的系统能效与响应速度。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在各种严苛环境下稳定工作，是便携设备、物联网模块等应用的理想选择，助您打造更节能、更可靠的产品。