BS170P

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否曾为寻找一款性能稳定、成本可控的开关控制核心而反复权衡？今天，我们为您带来一个经久考验的卓越解决方案BS170P。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其60V的耐压能力和270mA的连续漏极电流，在众多应用场景中展现出非凡的适应性。它不仅仅是一个晶体管，更是您实现高效能量控制、简化电路设计的得力助手。

想象一下，在您的智能家居设备中，需要精准控制一个小型电机或LED阵列的开关；或者在便携式仪器里，管理着电池供电模块的节能通断。BS170P正是为此而生。其10V的低驱动电压要求，让它可以轻松被微控制器等逻辑电平直接驱动，极大简化了驱动电路设计。TO-92-3的经典通孔封装，不仅便于手工焊接和原型制作，也经过了长时间的市场验证，确保了在各种环境下的稳定性和可靠性。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，意味着它能从容应对严寒或酷热的工作环境，保障您的产品全天候稳定运行。

选择BS170P，就是选择了一份经过时间淬炼的安心。它5欧姆的典型导通电阻（在10V Vgs，200mA条件下）确保了在开关状态下的低功耗损耗，将更多能量用于有效工作，而非无谓的发热。这对于提升电池续航或降低系统温升至关重要。其精简的设计与卓越的参数平衡，让您在实现功能的同时，无需为复杂的散热或驱动电路付出额外成本。我们推荐您通过正规的DIODES授权代理进行采购，以确保获得原装正品和完整的技术支持，让您的创新之旅从一颗可靠的芯片开始，步步为营，打造出令市场瞩目的精品。

• 型号:BS170P
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 想获取BS170P的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能轻松担当电路“高效开关”角色的核心器件吗？BS170P N沟道MOSFET正是您的理想之选。它能让您用简单的微控制器信号，可靠地控制高达60V电压、270mA电流的负载通断，无论是驱动继电器、小型电机还是LED灯组，都游刃有余。

这颗芯片采用经典的TO-92封装，便于您进行原型制作与生产。其低至10V的驱动电压和优化的导通特性，让您的设计更高效、更节能。选择BS170P，就是为您的项目注入一份经市场验证的稳定与可靠。